[发明专利]一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法

权利要求书

1.一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：以铋氧硒固体粉末为生长原材料，将所述生长原材料置于管式炉中心位置，基底置于管式炉内炉膛口位置；

先向管式炉内通入反向气流并对管式炉内进行加热，达到沉积温度后，在所述沉积温度下保温；在沉积温度下保温的时间为10～50分钟；

保温结束后，再转为向管式炉内通入正向气流以使所述生长原材料在所述基底上沉积生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜；沉积温度为680~750℃，沉积时间为1~30分钟；所述反向气流和正向气流的气流大小为100~250立方厘米/分钟；

整个制备过程的压强为常压。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反向气流方向为由基底到生长原材料；所述正向气流方向为由生长原材料到基底。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长原材料铋氧硒为Bi₂O₂Se固体粉末，所述Bi₂O₂Se固体粉末的质量为0.5~3g。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述管式炉为石英管式炉。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为氟金云母，化学式为KMg(ALSi₃O₁₀)F₂。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气流载气为氩气。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氩气的浓度≥99.9%。

8.一种层状铋氧硒半导体薄膜，其特征在于，采用如权利要求1~7任一项所述的制备方法制备得到。