[发明专利]一种激光掺杂SE电池图形精度的检测方法

权利要求书

1.一种激光掺杂SE电池图形精度的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，分别测量待测电池片的激光线PT值、激光线间距值、边距偏移值、对角线差值、激光线的单侧偏移值、激光线的中线偏移值；

步骤S2，分别判断上个步骤所测量的六种参数是否满足各自对应的精度要求；所述精度要求是根据SE电池图形的设计尺寸确定的；

所述激光线PT值为：硅片两侧的最外侧激光线之间的距离；

所述激光线间距值包括：任意相邻的两条激光线之间的距离；

所述边距偏移值包括：激光线最外侧与电池片四周边部之间距离的测量值与理论值的差值；

所述对角线差值为：四个定位点所形成的两条对角线的长度之差；

所述激光线的单侧偏移值包括：所有激光线与第一条激光线之间距离的测量值与理论值的差值；所述第一条激光线为待测硅片一侧的起始位置的激光线；

所述激光线的中线偏移值包括：所有激光线与定位点平分线之间距离的测量值与理论值的差值；所述定位点平分线为四个定位点所形成的四边形的平分线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测电池片为经过制绒、扩散、湿刻、正面镀氮化硅减反射膜、激光掺杂工序的电池片。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，测量待测电池片的激光线PT值，包括如下步骤：

在激光线上选取五个点位，分别在五个点位上测量激光线PT值；

相应地，所述激光线PT值所对应的精度要求为：五个点位的测量值与理论值之间的差值均不超过20微米，且五个点位的测量值中的最大值与最小值之差不超过30微米。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光线间距值所对应的精度要求为：测量值与理论值相差不超过30微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述边距偏移值所对应的精度要求为：不超过0.2毫米。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对角线差值所对应的精度要求为：不超过35微米。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，测量激光线的单侧偏移值，包括如下步骤：

测量起始位置的第一条激光线与第i+1条激光线之间的距离Li；其中i＝1，2，3，…，n；激光线的总数为n+1条；

根据第一条激光线与第i+1条激光线之间距离的理论值Di，计算单侧偏移值D1-L1，D2-L2，D3-L3，…，Dn-Ln；

所述单侧偏移值所对应的精度要求为：任意∣Di-Li∣不超过15微米。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，测量激光线的中线偏移值，包括如下步骤：

测量所有激光线与定位点平分线之间的距离Mj；其中j＝1，2，3，…，n，n+1；激光线的总数为n+1条；

根据每一条激光线与定位点平分线之间距离的理论值Nj，计算中线偏移值Nj-Mj；

所述中线偏移值所对应的精度要求为：任意∣Nj-Mj∣不超过15微米。

9.一种电池片的制备方法，其特征在于，包括：

电池片经过制绒、扩散、湿刻、正面镀氮化硅减反射膜、激光掺杂工序；

采用如权利要求1-7中任一项所述的检测方法检测电池片的SE电池图形精度；

对于满足精度要求的电池片，其对应的激光机台生产的电池片正常下传到产线的下一工序；对于不满足精度要求的电池片，其对应的激光机台需进行检修。