[发明专利]转移方法、微型器件阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110030715.1 申请日: 2021-01-11
公开(公告)号: CN112864287B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 樊勇 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/48;H01L27/15
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 裴磊磊
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 转移 方法 微型 器件 阵列 及其 制备
【说明书】:

发明公开了一种转移方法、微型器件阵列及其制备方法,所述微型器件阵列包括承载基板和承载于所述承载基板上的微型器件,所述微型器件与所述承载基板之间具有一弱化层,所述弱化层被配置成在一作用于所述微型器件阵列的外部力的作用下发生断裂,使得所述微型器件与所述承载基板分离;本发明所述转移方法、微型器件阵列及其制备方法能直接一步转移微型器件,从而能避免采用暂时基板、转移胶材和凸点stamp。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种转移方法、微型器件阵列及其制备方法。

背景技术

微型器件显示器相比OLED显示器具有可靠性高,色域高,亮度高,透明度高,PPI高;且封装要求低,更容易实现柔性及无缝拼接显示,是未来极具有发展潜力的未来显示器。

图1为现有MicroLED转移方法流程图。如图1所示,现有MicroLED转移方法,转移步骤复杂,且需要使用到暂时基板、胶材和凸点stamp等多种材料,从而造成制作成本高昂。

因此,亟需提供一种转移方法、微型器件阵列及其制备方法,以解决上述问题。

发明内容

为了解决上述问题,本发明提供一种转移方法、微型器件阵列及其制备方法,通过在微型器件和原始基板之间形成一弱化层,所述微型器件阵列及转移方法能将生成于原始基板上的微型器件的一步巨量的转移到一目标基板或驱动基板上,从而能避免采用暂时基板、转移胶材和凸点stamp。

为了实现上述目的,本发明所述转移方法、微型器件阵列及其制备方法采取了以下技术方案。

本发明提供一种微型器件的转移方法,所述转移方法包括:提供一微型器件阵列的步骤,所述微型器件阵列包括一承载基板和承载于所述承载基板上的至少一微型器件,并且所述微型器件与所述承载基板之间具有一弱化层,所述弱化层被配置成在一作用于所述微型器件阵列的外部力的作用下发生断裂,使得所述微型器件与所述承载基板分离;对位步骤:将所述微型器件阵列与一接收基板对位贴合;以及,转移步骤:所述转移步骤包括:形成用于使所述弱化层断裂的所述外部力,使得所述微型器件与所述承载基板分离,以及,将所述微型器件保持于所述接收基板上。

作为一优选实施例,所述微型器件的转移方法包括以下步骤: S1、提供一微型器件阵列的步骤,所述微型器件阵列包括一承载基板和承载于所述承载基板上的至少一微型器件,并且所述微型器件与所述承载基板之间具有一弱化层,所述弱化层被配置成在一作用于所述微型器件阵列的外部力的作用下发生断裂,使得所述微型器件与所述承载基板分离;S2、对位步骤:将所述微型器件阵列与一接收基板对位贴合;以及,S3、转移步骤:所述转移步骤包括:形成用于使所述弱化层断裂的所述外部力,使得所述微型器件与所述承载基板分离,以及,将所述微型器件保持于所述接收基板上。

进一步,所述转移方法还包括以下步骤:接合步骤:将被保持于所述接收基板的所述微型器件电性连接于所述接收基板上的步骤。

进一步,所述接收基板的表面上具有键合凸起阵列,则:在所述对位步骤中:使所述微型器件的电极对准所述键合凸起;在所述转移步骤中:使所述微型器件的电极黏附于所述键合凸起上,以将所述微型器件保持于所述接收基板上;在所述接合步骤中:将所述微型器件的电极焊接于所述键合凸起上。

本发明提供一种微型器件阵列,所述微型器件阵列包括承载基板和承载于所述承载基板上的至少一微型器件,其中:所述微型器件与所述承载基板之间具有一弱化层,所述弱化层被配置成在一作用于所述微型器件阵列的外部力的作用下发生断裂,使得所述微型器件与所述承载基板分离。

进一步,所述弱化层包括空洞部和用于支撑部和由所述支撑部定义的空洞部;所述支撑部被配置成在所述作用于所述微型器件阵列的外部力的作用下发生断裂,使得所述微型器件与所述承载基板分离。

进一步,所述支撑部呈网络状结构、阵列排布的条形状结构、十字型结构或矩形框结构。

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