[发明专利]逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，包括：

绝缘栅双极型晶体管区和至少一个快速恢复二极管区，所述至少一个快速恢复二极管区设置在所述绝缘栅双极型晶体管区中，所述绝缘栅双极型晶体管区包围所述至少一个快速恢复二极管区；

至少一个缓冲区，所述至少一个缓冲区与所述至少一个快速恢复二极管区对应设置，分别位于所述至少一个快速恢复二极管区和所述绝缘栅双极型晶体管区之间，所述至少一个缓冲区分别包围所述至少一个快速恢复二极管区。

2.根据权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，所述逆导型绝缘栅双极型晶体管还包括：

终端区，所述终端区包围所述绝缘栅双极型晶体管区、所述至少一个快速恢复二极管区和所述至少一个缓冲区。

3.根据权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，所述绝缘栅双极型晶体管区、所述至少一个快速恢复二极管区和所述至少一个缓冲区包括：

衬底，所述衬底作为漂移区；

位于所述衬底中的沟槽结构；

位于所述衬底上方的覆盖介质层，所述覆盖介质层中设置有通孔，所述通孔与所述沟槽结构间隔设置；

位于所述衬底下方的电场截止层；

位于所述覆盖介质层上的发射极电极；

位于所述电场截止层下方的集电极电极。

4.根据权利要求3所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，所述绝缘栅双极型晶体管区还包括：

位于所述衬底中的体区；

位于所述体区中的接触区和发射区，所述沟槽结构的顶部位于所述接触区中，所述沟槽结构的顶部靠近所述发射区，所述沟槽结构与栅极电极电连接；

所述发射极电极通过所述通孔与所述发射区和所述接触区电连接；

位于所述电场截止层和所述集电极电极之间的集电区。

5.根据权利要求4所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，所述快速恢复二极管区还包括：

位于所述电场截止层和所述集电极电极之间的第一电极区；

位于所述衬底中的第二电极区，所述沟槽结构的顶部位于所述第二电极区中，所述沟槽结构与所述发射极电极电连接；

所述发射极电极通过所述通孔与所述第二电极区电连接。

6.根据权利要求5所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，所述缓冲区包括：第一缓冲区和第二缓冲区，所述第一缓冲区包围对应的所述快速恢复二极管区，所述第二缓冲区包围所述第一缓冲区，所述绝缘栅双极型晶体管区包围所述第二缓冲区。

7.根据权利要求6所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，所述第一缓冲区还包括：

所述第二电极区，所述沟槽结构的顶部位于所述第二电极区中，所述沟槽结构与所述发射极电极电连接；

所述发射极电极通过所述通孔与所述第二电极区电连接；

所述集电区。

8.根据权利要求7所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，所述第二缓冲区还包括：

所述体区；

所述接触区，所述沟槽结构的顶部位于所述接触区中，所述沟槽结构与所述栅极电极电连接；

所述发射极电极通过所述通孔与所述接触区电连接；

所述集电区。

9.根据权利要求4所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，在所述绝缘栅双极型晶体管区中，所述沟槽结构包括：沿第一方向延伸的第一沟槽结构，所述通孔包括沿第一方向延伸的第一通孔，所述第一沟槽结构与所述第一通孔间隔设置。

10.根据权利要求5所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其中，在所述快速恢复二极管区中，所述沟槽结构包括：沿第一方向延伸的第一沟槽结构，所述通孔包括沿第一方向延伸的第一通孔，所述第一沟槽结构与所述第一通孔间隔设置。