[发明专利]一种金属与电介质复合的耐高温太阳光谱选择性吸收结构有效
| 申请号： | 202110029745.0 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112882138B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 邱羽;张鹏飞;李庆 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;H01L31/054;F24S70/225 |
| 代理公司： | 西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 电介质 复合 耐高温 太阳 光谱 选择性 吸收 结构 | ||
1.一种金属与电介质复合的耐高温太阳光谱选择性吸收结构，其特征在于，包括底层金属薄膜(1)，所述底层金属薄膜(1)上形成有第一电介质薄膜(2)，所述第一电介质薄膜(2)上形成有多个金属纳米四角星形棱柱(3)构成的阵列(8)，每个所述金属纳米四角星形棱柱(3)的中心具有圆柱孔，所述圆柱孔内填充有电介质填料(4)，每个所述金属纳米四角星形棱柱(3)的外周形成有第二电介质薄膜(5)，所述金属纳米四角星形棱柱(3)、所述电介质填料(4)和所述第二电介质薄膜(5)上形成有第三电介质薄膜(6)，且所述第二电介质薄膜(5)和所述第三电介质薄膜(6)均呈四角星形，所述底层金属薄膜(1)和所述金属纳米四角星形棱柱(3)的材料均为钨、钽、铪、锆或铬，所述底层金属薄膜(1)的厚度大于200nm，所述第一电介质薄膜(2)、所述电介质填料(4)、所述第二电介质薄膜(5)和所述第三电介质薄膜(6)的材料均为二氧化铪或二氧化硅，所述第一电介质薄膜(2)、所述第二电介质薄膜(5)和所述第三电介质薄膜(6)的厚度均为5nm～200nm。
2.根据权利要求1所述的一种金属与电介质复合的耐高温太阳光谱选择性吸收结构，其特征在于，所述阵列(8)呈平行四边形点阵或正六边形点阵。
3.根据权利要求2所述的一种金属与电介质复合的耐高温太阳光谱选择性吸收结构，其特征在于，所述金属纳米四角星形棱柱(3)的四角星的每个角为锐角，且所述金属纳米四角星形棱柱(3)绕其中心轴旋转90°、180°、270°或360°之后与其自身重合。
4.根据权利要求3所述的一种金属与电介质复合的耐高温太阳光谱选择性吸收结构，其特征在于，所述金属纳米四角星形棱柱(3)的四角星的外接圆的直径为100nm～1000nm。
5.根据权利要求4所述的一种金属与电介质复合的耐高温太阳光谱选择性吸收结构，其特征在于，任意两个相邻的所述金属纳米四角星形棱柱(3)的中心轴的间距大于等于所述金属纳米四角星形棱柱(3)的四角星的外接圆的直径，且小于等于3000nm。
6.根据权利要求4所述的一种金属与电介质复合的耐高温太阳光谱选择性吸收结构，其特征在于，所述圆柱孔的直径为20nm～500nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学，未经中南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110029745.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于血型检测的微流控检测装置
- 下一篇：一种轻质物质多级分离的倾斜生物离心机
