[发明专利]一种调控无铅双钙钛矿基阻变存储器实现多态存储的方法

权利要求书

1.一种调控无铅双钙钛矿基阻变存储器实现多态存储的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）制备Cs₂AgBiBr₆样品：将BiBr₃、AgBr和CsBr以1:1:2的摩尔比溶于有机溶剂DMSO中，在恒温手套箱中加热到60~70℃，搅拌10小时以上，得到清亮的黄色目标溶液，然后通过溶胶-凝胶法制备目标样品：先将铟锡氧化物导电玻璃衬底，即ITO/glass作为基底固定在匀胶机上，然后以400rpm以上的转速，将目标溶液在ITO/glass基底上旋涂10 s以上，再以4000 rpm以上的转速条件旋涂30s以上，最后在200~300℃电热板上退火5~10分钟，得到黄色的Cs₂AgBiBr₆薄膜；

2）制备Cs₂AgBiBr₆基阻变存储器件：将步骤1）得到的Cs₂AgBiBr₆薄膜表面用N₂气枪清理干净后置于磁控溅射腔内，通过磁控溅射方式，在Cs₂AgBiBr₆薄膜表面溅射得到Pt电极，Pt电极的厚度在150nm以上，进而得到Pt/Cs₂AgBiBr₆/ITO/glass器件；

3）光照调控Pt/Cs₂AgBiBr₆/ITO/glass器件阻变特性：将Pt/Cs₂AgBiBr₆/ITO/glass器件置于445 nm激光光照中，以上下加电压的方式对器件进行扫描电压下的电性测试，扫描方式为0→V_SET→V_RESET-1/V_RESET-2→0，其中V_SET为置位电压，V_RESET-1、V_RESET-2为复位电压，随后，将光照下所测试得的最大高、低阻态比对应的电压定为读取电压V_r，以V_SET→V_r→0→V_RESET-1→V_r→0→V_RESET-2→0的循环测试模式进行阻态稳定性的测试。

2.根据权利要求1所述的调控无铅双钙钛矿基阻变存储器实现多态存储的方法，其特征在于，所述步骤1）中搅拌10~15小时，以400~600rpm的转速，在ITO/glass基底上旋涂10~20s，再以4000~6000 rpm的转速条件旋涂30~50s。