[发明专利]碲-氮化硼复合材料及其制备方法和场效应器件在审
| 申请号： | 202110025590.3 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112885894A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 秦敬凯 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（深圳） |
| 主分类号： | H01L29/26 | 分类号： | H01L29/26;H01L21/34;H01L23/373;B82Y40/00;B82Y30/00;C01B21/064 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 刘方 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 复合材料 及其 制备 方法 场效应 器件 | ||
1.碲-氮化硼复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在基板上制备氮化硼纳米管；
S2、在所述氮化硼纳米管的表面覆上光刻胶，然后采用光刻工艺结合反应离子刻蚀工艺，将所述氮化硼纳米管切割成具有两端开口的段体，去除所述光刻胶；
S3、将步骤S2得到的基板浸入25～55℃的氨水中处理，然后置于空气氛围中在800～900℃热处理；
S4、将步骤S3得到的基板和碲粉置于真空密闭体系中，在300～500℃加热。
2.根据权利要求1所述的碲-氮化硼复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S1具体为：在Si基板上生长氮化硼纳米管，然后倒置于SiO2/Si基板上，拖动所述Si基板使得所述氮化硼纳米管转移至所述SiO2/Si基板上。
3.根据权利要求1所述的碲-氮化硼复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述的段体的长度为25～35μm。
4.根据权利要求1所述的碲-氮化硼复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述真空密闭体系的真空度＜10-2Torr。
5.根据权利要求1至4任一项所述的碲-氮化硼复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述氨水的体积分数为10％～30％。
6.根据权利要求1至4任一项所述的碲-氮化硼复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述热处理的时间为1～3h。
7.根据权利要求1至4任一项所述的碲-氮化硼复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述加热的时间为6～8天。
8.根据权利要求1至4任一项所述的碲-氮化硼复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S4具体为：将步骤S3得到的基板放置于石英管的底部，将碲粉放置于所述石英管的中部，使用氧乙炔焰对所述石英管进行真空封口，设置所述石英管的中部的温度为300～500℃。
9.碲-氮化硼复合材料，其特征在于，由权利要求1至8任一项所述的碲-氮化硼复合材料的制备方法制得。
10.场效应器件，其特征在于，包括权利要求9所述的碲-氮化硼复合材料。
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