[发明专利]切割道标记及光刻掩膜版版图的设计方法、设计装置

说明书

一种切割道标记及光刻掩膜版版图的设计方法、设计装置，其中所述切割道标记的设计方法，提供第一切割道标记，所述第一切割道标记包括透光的第一部分和不透光的第二部分；对所述第一切割道标记进行反相处理，形成第二切割道标记，所述反相处理包括将所述第一切割道标记中至少部分透光的第一部分转化为不透光的第三部分，将所述第一切割道标记中至少部分不透光的第二部分转化为透光的第四部分。本发明在设计新的切割道标记时，对已有的第一切割道标记进行反相处理既可获得，无需进行繁琐的构图设计和尺寸设计等，极大的简化的设计流程，提高了设计的效率，并且形成的第二切割道标记可以直接用于掩膜板的设计中。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种切割道标记及光刻掩膜版版图的设计方法、设计装置。

背景技术

在半导体制造过程中，光刻工艺处于中心的地位，是集成电路生产中最重要的工艺步骤。半导体芯片的制作通常分为多层，且每一层的制作都需要进行图形限定，以形成特定结构，如，形成接触孔或金属连线等。这些特定结构的图形限定通常是由光刻工艺实现，而光刻是一个利用光刻掩膜版将设计的结构图形转移到晶片上的工艺过程。

在芯片制造前，先根据芯片上每一层的器件、金属线、连接等的布局，设计制作一个或多个光刻掩膜版，然后，再利用光刻工艺将该光刻掩膜版上的图形转移到晶片上。其中，如何将设计的图案准确地反映于光刻掩膜版上，再转移至半导体晶片上，是半导体制作中关注的重点问题之一。

光刻掩膜版(mask)，也称为掩模版或者光罩，是一种对于曝光光线具有透光性的平板，其上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，可实现有选择地遮挡照射到晶片表面光刻胶上的光，并最终在晶片表面的光刻胶上形成相应的图案。

光刻掩膜版(mask)也是通过一定制作工艺制作形成，进行光刻掩膜版制作之前需要先进行光刻掩膜版版图的设计，光刻掩膜版版图设计时需要进行各种切割道标记的设计，但是现有的个别切割道标记的设计过程较为复杂。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是怎样提高切割道标记的设计效率。

本发明提供了一种切割道标记的设计方法，包括：

提供第一切割道标记，所述第一切割道标记包括透光的第一部分和不透光的第二部分；

对所述第一切割道标记进行反相处理，形成第二切割道标记，所述反相处理包括将所述第一切割道标记中至少部分透光的第一部分转化为不透光的第三部分，将所述第一切割道标记中至少部分不透光的第二部分转化为透光的第四部分。

可选的，所述反相处理的过程：将所述第一切割道标记作为第一图层；在第一图层上覆盖第二图层，所述第二图层对应第一切割道标记中需要进行反相处理的大小范围；对重叠部分的第一图层和第二图层进行图层运算，将所述重叠部分中透光的第一部分转化为不透光的第三部分，将所述重叠部分不透光的第二部分转化为透光的第四部分。

可选的，所述图层运算包括布尔运算。

可选的，所述布尔运算包括是非运算。

可选的，所述反相处理的过程：选中第一切割道标记中需要进行反相处理的大小范围；对所述选中的大小范围内的第一切割道标记进行非运算，将所述选中的第一切割道标记中透光的第一部分转化为不透光的第三部分，不透光的第二部分转化为透光的第四部分。

可选的，对全部所述第一切割道标记进行反相处理，形成第二切割道标记。

可选的，对部分所述第一切割道标记进行反相处理，形成第二切割道标记。

可选的，所述第一切割道标记和第二切割道标记的作用相同或不同。

本发明还提供了一种光刻掩膜版版图的设计方法，包括：