[发明专利]一种图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

溢出栅极结构，位于半导体衬底中，所述溢出栅极结构具有第一侧表面和相对于第一侧表面的第二侧表面；

二极管掺杂区，位于所述溢出栅极结构的第一侧表面半导体衬底中；

溢出漏区，位于所述溢出栅极结构的第二侧表面半导体衬底中，所述溢出漏区电连接电源线；

所述溢出栅极结构的深度小于所述二极管掺杂区的深度且大于所述溢出漏区的深度。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括附加掺杂区，位于所述溢出栅极结构下方的半导体衬底中，所述附加掺杂区、所述二极管掺杂区以及所述溢出漏区彼此相互分立。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述附加掺杂区还包括第一附加掺杂区和第二附加掺杂区，所述第一附加掺杂区位于所述溢出栅极结构的底部中心位置处，所述第二附加掺杂区位于所述第一附加掺杂区的正下方。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第一附加掺杂区与所述第二附加掺杂区之间的间隔为0.1微米。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述第一附加掺杂区与所述第二附加掺杂区的导电类型为N型，所述二极管掺杂区的导电类型为N型，所述溢出漏区的导电类型为N型。

6.根据权利要求1-4所述的图像传感器，其特征在于，所述溢出栅极结构包括溢出栅绝缘层和位于溢出栅绝缘层上的溢出栅电极，所述溢出栅绝缘层包围溢出栅电极的底部和侧壁。