[发明专利]制备量子点的方法以及包括量子点的光学构件和设备

权利要求书

1.一种制备量子点的方法，其中，所述量子点包括：核，包括III-V族化合物；第一壳，围绕所述核并且包括ZnSe；第二壳，围绕所述第一壳并且包括ZnSe_1-xS_x，其中，x是大于0且小于1的实数；以及第三壳，围绕所述第二壳并且包括ZnS，所述方法包括以下步骤：

由包括第一材料和第二材料的第一溶液来形成所述第一壳，所述第一材料包括锌，所述第二材料包括硒；

通过将第三材料和第四材料添加到所述第一溶液以形成第二溶液来形成所述第二壳，所述第三材料包括锌，所述第四材料包括硒和硫；以及

通过将第五材料添加到所述第二溶液来形成所述第三壳，所述第五材料包括锌，其中，

形成所述第一壳的步骤包括添加所述第一材料的动作a以及添加所述第二材料的动作b，并且

形成所述第二壳的步骤包括添加所述第三材料的动作c以及添加所述第四材料的动作d。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一壳的步骤包括执行动作a和动作b中的每个至少两次。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一壳的步骤包括顺序地进行以下动作：

添加所述第一材料的动作a1；

添加所述第二材料的动作b1；

添加所述第一材料的动作a2；以及

添加所述第二材料的动作b2，

其中，随着顺序地执行动作a1、动作b1、动作a2和动作b2，反应温度逐渐升高。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二壳的步骤包括重复地执行动作c和动作d中的每个至少两次。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二壳的步骤包括顺序地进行以下动作：

添加所述第三材料的动作c1；

添加所述第四材料的动作d1；

添加所述第三材料的动作c2；以及

添加所述第四材料的动作d2，

其中，随着顺序地执行动作c1、动作d1、动作c2和动作d2，反应温度逐渐升高。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料和所述第三材料均包括硬脂酸锌。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第二材料包括硒粉末，并且

所述第四材料包括硒粉末和硫粉末。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，包括在所述第二壳中的ZnSe_1-xS_x中的硒的含量朝向所述第一壳较高并且朝向所述第三壳较低，从而形成浓度梯度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述III-V族化合物选自于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb以及它们的组合。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括由III族前驱体和V族前驱体形成包括所述III-V族化合物的所述核。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在比形成所述第二壳的步骤中的温度低的温度下执行形成所述第三壳的步骤。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第五材料包括乙酸锌。