[发明专利]一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池背面电极金属化方法

权利要求书

1.一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池背面电极金属化方法，其特征在于：所述隧穿氧化层钝化接触太阳能电池背面电极金属化方法如下：

(1)依次将N型硅片进行清洗、制绒→硼扩散处理制p⁺掺杂区→激光掺杂处理制P⁺⁺激光重掺杂区→制备背面多晶硅钝化层→离子注入制n⁺掺杂区→退火处理→ALD沉积Al₂O₃层→正面PECVD处理制正面氮化硅减反膜→背面PECVD处理制背面氮化硅减反膜得到金属化前的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池；

(2)在（1）中制得的金属化前的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的背面氮化硅减反膜上采用丝网印刷银浆料，于200-250℃下烘干2.5-3min形成数条相互平行的背面第一细栅和数条相互平行的主栅，所述背面第一细栅和主栅相互垂直；

(3)然后在每条所述背面第一细栅上对位印刷铝浆料，于200-250℃下烘干2.5-3min，700-780℃烧结峰值温度烧结60-70s形成数条相互平行的背面第二细栅，所述背面第二细栅完全覆盖于所述背面第一细栅上。

2.根据权利要求1所述一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池背面电极金属化方法，其特征在于：所述（1）中的N型硅片的电阻率为0.5-15Ω·cm，厚度为140-180μm。

3.根据权利要求1所述一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池背面电极金属化方法，其特征在于：所述（2）中银浆料为烧穿型银浆料。

4.根据权利要求3所述一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池背面电极金属化方法，其特征在于：所述烧穿型银浆料中银的含量为40-50wt.%。

5.根据权利要求1所述一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池背面电极金属化方法，其特征在于：所述（2）中背面第一细栅的线宽为25-50μm，所述背面第一细栅的线高为3-5μm，相邻两个所述背面第一细栅距离为10-20mm。

6.根据权利要求1所述一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池背面电极金属化方法，其特征在于：所述（2）背面主栅的线宽为30-150μm，所述背面主栅的线高为3-5μm，相邻两个所述背面主栅的距离为25-35mm。

7.根据权利要求1所述一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池背面电极金属化方法，其特征在于：所述（3）背面第二细栅的线宽为50-100μm，所述背面第二细栅的线高为3-30μm。