[发明专利]用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置

说明书

本申请涉及用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置。在一种在晶圆之上涂覆光致抗蚀剂的方法中，在旋转晶圆时开始从喷嘴在晶圆之上分配光致抗蚀剂，并在旋转晶圆时停止分配光致抗蚀剂。在开始分配光致抗蚀剂之后并且停止分配光致抗蚀剂之前，改变晶圆旋转速度至少4次。在分配期间，保持喷嘴的臂可水平移动。喷嘴的尖端可位于距晶圆的2.5mm至3.5mm的高度处。

技术领域

本公开总体涉及用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置。

背景技术

光刻操作是半导体制造工艺中的关键操作之一。光刻技术包括紫外光刻、深紫外光刻和极紫外光刻(EUVL)。光刻操作通常是高成本工艺，并且降低成本是要解决的问题之一。具体地，在EUV光刻中，光致抗蚀剂的成本比深UV光致抗蚀剂的成本高得多。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种在晶圆之上涂覆光致抗蚀剂的方法，包括：在旋转所述晶圆时开始从喷嘴在所述晶圆之上分配所述光致抗蚀剂；在旋转所述晶圆时停止分配所述光致抗蚀剂；以及在开始分配所述光致抗蚀剂之后并且停止分配所述光致抗蚀剂之前，改变晶圆旋转速度至少4次。

根据本公开的第二方面，提供了一种在晶圆之上涂覆光致抗蚀剂的方法，包括：在以第一速度旋转所述晶圆时开始从喷嘴分配所述光致抗蚀剂；在以与所述第一速度不同的第二速度旋转所述晶圆时持续分配所述光致抗蚀剂达第二持续时间T2；在以与所述第二速度不同的第三速度旋转所述晶圆时持续分配所述光致抗蚀剂达第三持续时间T3；在以与所述第三速度不同的第四速度旋转所述晶圆时持续分配所述光致抗蚀剂达第四持续时间T4；在以第五速度旋转所述晶圆并将所述喷嘴从所述晶圆的中心向所述晶圆的边缘水平移动时持续分配所述光致抗蚀剂；以及在停止所述喷嘴的移动之后，在以与所述第五速度不同的第六速度旋转所述晶圆时停止分配所述光致抗蚀剂。

根据本公开的第三方面，提供了一种光致抗蚀剂涂覆装置，包括：晶圆保持器，被配置为支撑晶圆并旋转所述晶圆；喷嘴，被配置为分配光致抗蚀剂；臂，耦合至所述喷嘴并被配置为水平地和垂直地移动所述喷嘴；以及控制系统，包括处理器以及存储程序和涂覆配方的存储器，并被配置为根据所述涂覆配方来控制所述晶圆保持器、所述喷嘴和所述臂，其中：所述程序在由所述处理器执行时使所述控制系统执行以下操作：在以第一速度旋转所述晶圆时开始从所述喷嘴分配所述光致抗蚀剂；在以与所述第一速度不同的第二速度旋转所述晶圆时持续分配所述光致抗蚀剂；在以与所述第二速度不同的第三速度旋转所述晶圆时持续分配所述光致抗蚀剂；在以与所述第三速度不同的第四速度旋转所述晶圆时持续分配所述光致抗蚀剂；在以第五速度旋转所述晶圆并将所述喷嘴从所述晶圆的中心向所述晶圆的边缘水平移动时持续分配所述光致抗蚀剂；以及在停止所述喷嘴的移动之后，在以与所述第五速度不同的第六速度旋转所述晶圆时停止分配所述光致抗蚀剂。

附图说明

图1A和图1B是根据本公开实施例的光致抗蚀剂涂覆装置的示意图。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E和图2F示出了根据本公开实施例的用于在晶圆/衬底上涂覆光致抗蚀剂的序列工艺的各个阶段。图2G示出了根据本公开实施例的抗蚀剂涂覆序列(配方)。

图3示出了根据本公开实施例的喷嘴高度效应。

图4A、图4B和图4C示出了根据本公开实施例的各种喷嘴配置。

图5A、图5B和图5C示出了根据本公开实施例的各种喷嘴配置。

图6A和图6B示出根据本公开实施例的喷嘴高度和喷嘴尺寸的效应。

图7A和图7B示出了根据本公开实施例的抗蚀剂分配量的减少效应。

具体实施方式