[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审
| 申请号: | 202110016334.8 | 申请日: | 2021-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN112635496A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
| 发明(设计)人: | 胡小波 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/768 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。所述阵列基板的制备方法包括以下步骤:提供一基底;在所述基底上形成一第一金属基层,所述第一金属基层的材料为铝;在所述第一金属基层上沉积铜原子,扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金,所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层,未扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子在所述第一合金层上形成一第一金属层,所述第一合金层和所述第一金属层形成栅极结构层。本申请降低了栅极与邻近的金属走线之间的短路风险。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着人们对高分辨率以及高画面刷新速率的显示屏的需求,对显示屏中导电膜层的导电性能有了更高的要求。目前,铜因其优良的导电性能成为显示屏中应用广泛的导电材料。
在阵列基板的制备工艺中,当栅极采用铜作为导电材料时,由于铜和玻璃基板之间的附着力较差,因此,通常在铜所在膜层的下方沉积一层阻挡层,以提高铜在玻璃基板上的附着效果。常用的阻挡层材料有钼、钛、钼钛合金、钼铌合金以及钼钽合金等,但上述阻挡层材料的靶材制作工艺较复杂,加工难度大,价格也较高。铝因其靶材的价格便宜,且与玻璃基板之间具有良好的附着力而成为一种优良的阻挡层材料。然而,当采用铝作为阻挡层的材料时,在栅极金属层的刻蚀工艺中,铝会在刻蚀液中发生钝化而导致阻挡层无法刻蚀完全,从而增加了栅极与邻近金属走线之间的短路风险。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,以降低采用铝作为阻挡层材料时,栅极与邻近金属走线之间的短路风险。
本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法,其包括以下步骤:
提供一基底;
在所述基底上形成一第一金属基层,所述第一金属基层的材料为铝;
在所述第一金属基层上沉积铜原子,扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金,所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层,未扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子在所述第一合金层上形成一第一金属层,所述第一合金层和所述第一金属层形成栅极结构层。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述在所述基底上形成一第一金属基层的步骤,包括:
提供一第一靶材,所述第一靶材的材料为铝;
在所述基底上沉积从所述第一靶材中溅射出的铝原子,以形成一第一金属基层。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述形成一第一合金层和一第一金属层的步骤,包括:
提供一第二靶材,所述第二靶材的材料为铜;
在所述第一金属基层上沉积从所述第二靶材中溅射出的铜原子,所述铜原子扩散至所述第一金属基层中,并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金,所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层;
继续在所述第一合金层上沉积所述铜原子,以形成一第一金属层。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述形成一第一合金层的步骤,包括:
在所述第一金属基层上沉积从所述第二靶材中溅射出的铜原子,所述铜原子扩散至所述第一金属基层远离所述基底的部分中,并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金,所述第一金属基层未掺杂所述铜原子的部分为第二金属层,所述铜铝合金在所述第二金属层上形成一第一合金层,所述第一合金层的厚度大于所述第二金属层的厚度,所述第一金属层、所述第一合金层和所述第二金属层形成所述栅极结构层。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述形成一第一合金层和一第一金属层的步骤,包括:
提供一第二靶材,所述第二靶材的材料为铜;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





