[发明专利]一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法

权利要求书

1.一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法，其特征在于，包括：

采用单个高能粒子垂直入射设置有多个分页的静态随机存储器电路的方式进行辐照实验；

在所述辐照实验中，获取选通的所述多个分页的静态随机存储器电路单粒子翻转阈值；

基于所述静态随机存储器电路单粒子翻转阈值以及所述多个分页的串联器件间距确定高能粒子离化电荷粒径。

2.如权利要求1所述的测量高能粒子离化电荷粒径的方法，其特征在于，所述静态随机存储器电路包括：四个分页；

所述四个分页内分别对应设置有6管静态存储单元电路、第一10管静态存储单元电路、第二10管静态存储单元电路以及第三10管静态存储单元电路；

其中，所述第一10管静态存储单元电路的串联器件间距d₁、第二10管静态存储单元电路的串联器件间距d₂以及第三10管静态存储单元电路的串联器件间距d₃，且d₁d₂d₃。

3.如权利要求2所述的测量高能粒子离化电荷粒径的方法，其特征在于，所述获取选通的所述多个分页的静态随机存储器电路单粒子翻转阈值包括：

分别选通所述四个分页，并获取所述6管静态存储单元电路、所述第一10管静态存储单元电路、所述第二10管静态存储单元电路以及所述第三10管静态存储单元电路单粒子效应阈值LET₀、LET₁、LET₂以及LET₃。

4.如权利要求3所述的测量高能粒子离化电荷粒径的方法，其特征在于，所述基于所述静态随机存储器电路单粒子翻转阈值以及所述多个分页的串联器件间距确定高能粒子离化电荷粒径包括：

当LET₀≈LET₁≈LET₂≈LET₃时，则高能粒子离化电荷粒径D满足D≥d₃；

当LET₀≈LET₁≈LET₂LET₃时，则高能粒子离化电荷粒径D满足d₂≤Dd₃；

当LET₀≈LET₁LET₂≈LET₃，则高能粒子离化电荷粒径D满足d₁≤Dd₂；

当LET₀LET₁≈LET₂≈LET₃，则则重离子粒径D满足Dd₁。

5.如权利要求1所述的测量高能粒子离化电荷粒径的方法，其特征在于，所述静态随机存储器电路采用SOI工艺制备。

6.如权利要求2所述的测量高能粒子离化电荷粒径的方法，其特征在于，所述6管静态存储单元电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管以及第四NMOS管；

所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极连接电源电压VDD，所述第一PMOS管的漏极以及所述第二PMOS管的栅极连接第二存储节点，所述第一PMOS管的栅极以及所述第二PMOS管的漏极连接第一存储节点；

所述第一NMOS管的漏极以及所述第二NMOS管的栅极连接所述第一存储节点，所述第一NMOS管的栅极以及所述第二NMOS管的漏极连接所述第二存储节点，所述第一NMOS管的源极以及所述第二NMOS管的源极接地；

所述第三NMOS管的源极连接所述第一存储节点，所述第三NMOS管的栅极与字线连接，所述第三NMOS管的漏极连接第一位线；

所述第四NMOS管的源极连接所述第二存储节点，所述第四NMOS管的栅极与字线连接，所述第四NMOS管的漏极连接第二位线。

7.如权利要求2所述的测量高能粒子离化电荷粒径的方法，其特征在于，所述第一10管静态存储单元电路包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管以及第十NMOS管；

所述第三PMOS管的源极连接电源电压VDD，所述第三PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极，所述第四PMOS管的漏极连接第三存储节点，所述第三PMOS管的栅极以及所述第四PMOS管的栅极连接第四存储节点；

所述第五PMOS管的源极连接电源电压VDD、所述第五PMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的源极，所述第六PMOS管的漏极连接所述第四存储节点，所述第五PMOS管的栅极以及所述第六PMOS管的栅极连接所述第三存储节点；

所述第五NMOS管的漏极连接所述第三存储节点，所述第五NMOS管的源极连接所述第六NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的漏极接地，所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极连接所述第四存储节点；

所述第七NMOS管的漏极连接所述第四存储节点，所述第七NMOS管的源极连接所述第八NMOS管的漏极，所述第八NMOS管的源极接地，所述第七NMOS管的栅极以及所述第八NMOS管的栅极连接所述第三存储节点；

所述第九NMOS管的源极连接所述第三存储节点，所述第九NMOS管的漏极连接第一位线，所述第九NMOS管的栅极连接字线；

所述第十NMOS管的源极连接所述第四存储节点，所述第十NMOS管的漏极连接第二位线，所述第十NMOS管的栅极连接字线。