[发明专利]一种硅片减薄净化工件及采用该工件的减薄净化工艺

权利要求书

1.一种硅片减薄净化工件，用于净化放置台面靠近被磨硅片的一侧面，其特征在于，包括基片及置于所述基片一侧的吸附层；所述基片侧面与所述吸附层连接设置，且其结构与所述吸附层相适配；所述吸附层远离所述基片一侧为平面，且其面积不小于被磨所述硅片的面积，并所述吸附层远离所述基片一侧具有粘性。

2.根据权利要求1所述的一种硅片减薄净化工件，其特征在于，所述吸附层为圆形结构，且其直径小于所述台面直径。

3.根据权利要求1或2所述的一种硅片减薄净化工件，其特征在于，所述吸附层厚度小于所述基片厚度，所述吸附层厚度为30-100um。

4.根据权利要求3所述的一种硅片减薄净化工件，其特征在于，所述基片厚度为700-1000um。

5.根据权利要求1-3、4任一项所述的一种硅片减薄净化工件，其特征在于，所述基片为圆形，且其直径与被磨所述硅片相同；所述吸附层直径与所述基片直径相同。

6.一种减薄净化工艺，其特征在于，采用如权利要求1-6任一项所述的净化工件，步骤包括：放置所述工件于所述台面上，并使所述工件与所述台面同心设置，且使所述吸附层与所述台面紧贴设置；执行所述台面带动所述工件旋转一定时间，以清除所述台面表面上粘附的颗粒杂质及硅粉。

7.根据权利要求6所述的一种减薄净化工艺，其特征在于，当连续研磨所述硅片一定时间后，执行如权利要求6所述的步骤，并使所述工件被旋转至少1-3h。

8.根据权利要求7所述的一种减薄净化工艺，其特征在于，当更换研磨所述硅片的砂轮后，执行如权利要求6所述的步骤，并使所述工件被旋转至少1-3h。

9.根据权利要求8所述的一种减薄净化工艺，其特征在于，当修正所述台面后，执行如权利要求6所述的步骤，并使所述工件被旋转至少10-14h。

10.根据权利要求7-9任一项所述的一种减薄净化工艺，其特征在于，控制所述台面旋转的方向与被磨所述硅片时所述台面旋转的方向一致；且所述台面旋转的速率与被磨所述硅片时所述台面旋转的速率相同。