[发明专利]多晶硅的刻蚀方法

权利要求书

1.一种多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的多晶硅刻蚀针对两部分区域之间具有台阶的多晶硅刻蚀，所述两部分区域包含高压氧化层区域以及多晶硅栅极区域；两部分区域进行多晶硅同步刻蚀时，先通过第一步多晶硅刻蚀工艺形成过渡形貌，然后再通过两次多晶硅辅助刻蚀将高压氧化层区域及多晶硅栅极区域的多晶硅形貌刻蚀到设计状态。

2.如权利要求1所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的两部分区域，其中高压氧化层区域从上至下依次包含光刻胶、底部抗反射涂层、硬掩模层、多晶硅层、高压氧化层以及栅氧化层；所述的多晶硅栅极区域从上之下依次包含光刻胶、底部抗反射涂层、硬掩模层、多晶硅层以及栅氧化层。

3.如权利要求2所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：对所述两部分区域进行同步刻蚀，首先利用光刻胶的定义将图形转移到硬掩模层上，然后去除光刻胶，在硬掩模层的定义下通过刻蚀形成过渡形貌；所述过渡形貌是将多晶硅层刻蚀掉一部分，使高压氧化层区域的栅氧化层上以及多晶硅栅极区域的栅氧化层上仍保留有多晶硅。

4.如权利要求1所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的两次多晶硅辅助刻蚀，第一次辅助刻蚀完成后使多晶硅栅极区域的多晶硅栅极两侧残留少量多晶硅，同时，高压氧化层区域的高压氧化层台阶下同步残留有多晶硅。

5.如权利要求4所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：进行第二次辅助刻蚀时，通过修饰性的精细刻蚀，将多晶硅栅极两侧残留的多晶硅以及高压氧化层区域的高压氧化层台阶下残留的多晶硅完全去除，此时多晶硅栅极具有完整形貌，高压氧化层区域的高压氧化层台阶下也无多晶硅残留。

6.如权利要求4所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的两次多晶硅辅助刻蚀，第一次刻蚀采用干法刻蚀工艺，第二次刻蚀采用干法刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的第一步多晶硅刻蚀工艺形成过渡形貌，刻蚀采用干法刻蚀，刻蚀气体压强 6～10mt，刻蚀源功率：500～700W，偏置功率 80W，刻蚀气体为 HBr、Cl₂、CF₄以及O₂。

8.如权利要求6所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的两次多晶硅辅助刻蚀，其中第一次多晶硅辅助刻蚀，刻蚀气体压强 6～10mt，源刻蚀功率：300～400W，偏置功率35W，刻蚀气体为 HBr、He以及O₂；所述的第二次多晶硅辅助刻蚀，刻蚀气体压强 40～60mt，刻蚀源功率：400～600W，偏置功率 60W，刻蚀气体 HBr、He以及O₂。