[发明专利]包含硫的切换装置、存储器装置及集成电路存储器装置在审
| 申请号： | 202110011018.1 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114373862A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜;郑政伟;布莱斯凯·马修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张琛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 切换 装置 存储器 集成电路 | ||
1.一种切换装置，其特征在于，包括：
第一电极；
第二电极；以及
切换层，在所述第一电极与所述第二电极之间，所述切换层包括包含硫族化物的组成物，所述硫族化物具有抑制氧化的添加剂。
2.根据权利要求1所述的切换装置，其特征在于所述组成物包含砷，且所述添加剂为硫。
3.根据权利要求1所述的切换装置，其特征在于，所述组成物包含砷及硅，且所述添加剂为硫。
4.根据权利要求1所述的切换装置，其特征在于，所述组成物包含硒，且所述添加剂为硫。
5.根据权利要求1所述的切换装置，其特征在于，所述组成物包含硒及硅，且所述添加剂为硫。
6.根据权利要求1所述的切换装置，其特征在于，所述组成物包含砷、硒以及硅，且所述添加剂为硫。
7.根据权利要求1所述的切换装置，其特征在于，所述组成物包含在25原子％至33原子％的范围内的砷、在34原子％至46原子％的范围内的硒、在8原子％至12原子％的范围内的锗、在6原子％至12原子％的范围内的硅以及在1原子％至5原子％的范围内的硫。
8.根据权利要求7所述的切换装置，其特征在于，所述组成物包含砷、硒、锗、硅以及硫的量，以在阈值电压Vth大于3伏特下使用持续时间小于50纳秒的所施加电压脉冲进行切换。
9.根据权利要求7所述的切换装置，其特征在于，所述组成物包含砷、硒、锗、硅以及硫的量，以在2伏特下具有小于2纳安培的关闭状态漏电流(IOFF)。
10.根据权利要求7所述的切换装置，其特征在于，所述组成物包含砷、硒、锗、硅以及硫的量，以在2伏特下具有小于100微微安培的关闭状态漏电流(IOFF)。
11.根据权利要求1所述的切换装置，其特征在于，所述切换层的厚度小于50纳米。
12.根据权利要求1所述的切换装置，其特征在于，所述切换层具有13纳米以上至45纳米以下的范围内的厚度。
13.一种存储器装置，其特征在于，包括：
第一电极；
第二电极；
存储器元件，与所述第一电极接触；
选择器，在所述第一电极与所述第二电极之间，所述选择器包括组成物，所述组成物包括在25原子％至33原子％的范围内的砷、在34原子％至46原子％的范围内的硒、在8原子％至12原子％的范围内的锗、在6原子％至12原子％的范围内的硅以及在1原子％至5原子％的范围内的硫；以及
势垒层，在所述存储器元件与所述选择器之间。
14.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述组成物包含砷、硒、锗、硅以及硫的量，以在阈值电压Vth大于3伏特下使用持续时间小于50纳秒的所施加电压脉冲进行切换。
15.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述组成物包含砷、硒、锗、硅以及硫的量，以具有小于1纳安培的关闭状态漏电流(IOFF)。
16.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述组成物包含砷、硒、锗、硅以及硫的量，以在2伏特下具有小于100微微安培的关闭状态漏电流(IOFF)。
17.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述选择器的厚度小于50纳米。
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