[发明专利]一种纳米压印制备OLED阳极的方法

权利要求书

1.一种纳米压印制备OLED阳极的方法，其特征在于，包括以下步骤；

步骤一，采用刻蚀法制备设有多个凹槽一的石英模板一、设有多个凹槽二的石英模板二，所述凹槽一与所述凹槽二位置相对应，相邻所述凹槽一之间的距离为0.8微米，所述凹槽二的宽度大于所述凹槽一的宽度；

步骤二，清洗具有驱动电路的硅基板：用丙酮和去离子水清洗硅基板，氮气枪吹干后在50至70摄氏度的干燥箱中10分钟去除硅基板上残余的水汽；

步骤三，在所述硅基板上均匀旋涂一层紫外固化胶，先将所述石英模板一进行防粘处理，用对准工艺将所述石英模板一准确压印到所述紫外固化胶表面，用紫外光照射使所述紫外固化胶固化形成图形化像素点，最后将所述石英模板一从所述硅基板上脱离；

步骤四，通过等离子体去除压印后残余在非像素区域的所述紫外固化胶；

步骤五，在所述石英模板二上面滴加聚二甲基硅氧烷，填满所述凹槽二，用刮刀缓慢地刮除表面多余的所述聚二甲基硅氧烷；

步骤六，在固化后的所述石英模板二的凹槽二的对应位置点涂一层粘附层聚乙酸乙烯酯，通过对准工艺将带有所述聚二甲基硅氧烷的所述石英模板二倒置在所述压印后的硅基板上，施加应力使两者粘合，移除所述石英模板二后得到T型的微纳结构；

步骤七，蒸镀阳极层，所述阳极层包括钛膜层、镍膜层、铝膜层、铂膜层中的至少一种导电膜层，所述阳极层厚度为40至60纳米；

步骤八，采用N-甲基吡咯烷酮溶液、丙酮溶液中的一种溶液超声除去所述T型结构中的紫外固化胶、聚二甲基硅氧烷以及附着在所述T型结构上阳极层。

2.如权利要求1所述纳米压印制备OLED阳极的方法，其特征在于：步骤三中所述的防粘处理具体操作是在无水环境中，将所述石英模板一浸泡在无水正辛烷比硅烷为200比1的混合溶液中2至3分钟，取出后将所述石英模板一放在70摄氏度的无水正辛烷溶液中静置20至30分钟，在所述石英模板一表面形成低摩擦系数的疏水层。

3.如权利要求1所述纳米压印制备OLED阳极的方法，其特征在于：所述步骤四中所述等离子体采用的是氧气等离子体，流量为20至30标准毫升每分钟，功率为100至150瓦，刻蚀时间为10至30秒。

4.如权利要求1所述纳米压印制备OLED阳极的方法，其特征在于：步骤五中所述石英模板二上相邻所述凹槽二之间的距离为0.6微米，聚二甲基硅氧烷是预聚体和固化剂以10比1质量配比形成的混合溶液，在室温下静置1至2小时去除溶液中的气泡，再缓慢倒入所述石英模板二中。

5.如权利要求1所述纳米压印制备OLED阳极的方法，其特征在于：步骤六中聚二甲基硅氧烷固化的条件是在70至80摄氏度的温度下固化1至2小时，聚二甲基硅氧烷和聚乙酸乙烯酯之间的粘附能大于聚二甲基硅氧烷与所述石英模板二之间的粘附能。