[发明专利]一种改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料及含其覆铜板和制备方法在审
申请号: | 202110008503.3 | 申请日: | 2021-01-05 |
公开(公告)号: | CN113150457A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 黄贤;李东阵;高权星 | 申请(专利权)人: | 广州辰东新材料有限公司 |
主分类号: | C08L25/06 | 分类号: | C08L25/06;C08L53/02;C08L23/16;C08L51/00;C08L51/04;C08K5/14;C08K3/34;C08J5/24;B32B15/20;B32B15/14;B32B17/02;B32B37/06;B32B37/10;B32B38/18 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改性 碳氢 聚苯乙烯 复合材料 铜板 制备 方法 | ||
1.一种改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料,其特征在于,包括:40-50%质量份数的SPS树脂,40-50%质量份数的碳氢树脂,10-15%的改性SPS树脂混合液,4-8%质量份数的改性碳氢树脂,0.5-2%质量份数的交联剂,0.2-1质量分的交联促进剂,0.1-0.5%质量份数的成核剂;
其中所述的SPS树脂分子量为Mw 200000-300000g/mol,间规度>95%;所述的改性SPS树脂混合液为顺丁烯二酸酐接枝SPS树脂,接枝率为1%-5%;
所述的碳氢树脂选自丁苯树脂、聚丁二烯树脂、聚异丁二烯树脂、聚戊二烯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-异丁二烯共聚物、苯乙烯-二乙烯基苯共聚物、聚苯乙烯、2-甲基聚苯乙烯、3-甲基聚苯乙烯、4-甲基聚苯乙烯、2,4-二异丙基聚苯乙烯、2,4-二甲基聚苯乙烯、三元乙丙共聚物、环烯共聚物中的一种或两种以上的混合物;
所述的改性碳氢树脂为顺丁烯二酸酐接枝碳氢树脂,接枝率为1%-10%。
2.如权利要求1所述的一种改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料,其特征在于,所述改性碳氢树脂由碳氢树脂经有机溶剂溶解后,加入顺丁烯二酸酐及引发剂,在80℃-120℃温度下连续搅拌,反应得改性碳氢树脂。
3.如权利要求1所述的一种改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料,其特征在于,所述改性SPS树脂由间规聚苯乙烯经有机溶剂溶解后,加入顺丁烯二酸酐及引发剂、苯乙烯单体,在80℃-120℃温度下连续搅拌,反应得改性SPS树脂混合液。
4.如权利要求2所述的一种改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料,其特征在于,所述改性碳氢树脂由30-60质量份数的碳氢树脂经200-350质量份数的有机溶剂溶解后,加入2-10质量份数的顺丁烯二酸酐及0.2-2质量份数引发剂,在80℃-120℃温度下连续搅拌反应3小时,再经抽滤,溶剂冲洗,再抽滤,干燥,得改性碳氢树脂。
5.如权利要求3所述的一种改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料,其特征在于,所述改性SPS树脂由20-60质量份数的间规聚苯乙烯经50-100质量份数的有机溶剂溶解后,加入1-3质量份数的顺丁烯二酸酐及0.2-2质量份数的引发剂、苯乙烯单体,在80℃-120℃温度下连续搅拌3小时反应得改性SPS树脂混合液。
6.如权利要求1所述的一种改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料,其特征在于,所述交联剂为DCP(过氧化二异丙苯)、BPO(过氧化苯甲酰)、BIBP(双叔丁基过氧化二异丙基苯)等过氧化物引发剂中的一种或多种;所述助交联剂:三烯丙基氰脲酸酯(TAC)、三烯丙基异三聚氰酸酯(TAIC)、N,N′-间苯撑双马来酰亚胺(HVA-2)中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的一种改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料,其特征在于,所述成核剂为二(对甲基苄叉)山梨醇(MDBS),二苄叉山梨醇(DBS),异氰酸正丁酯氨酯化二苄叉山梨醇(DBS-BI),滑石粉,碳酸钙中的一种或多种。
8.一种由改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料制成的胶液,其特征在于,将权利要求1-7任一项所述的复合材料加入有机溶剂混合得到改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合胶液。
9.一种由改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料制成的覆铜板,其特征在于,将权利要求1-7任一项所述的复合材料加入有机溶剂混合得到改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合胶液,将所述改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合胶液均匀分散液浸渍玻维布,再经烘烤得到所述改性碳氢-改性间规聚苯乙烯半固化片;再将半固化片叠合覆以电解铜箔经高温层压工艺制备成改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料覆铜板。
10.如权利要求9所述的一种由改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料制成的覆铜板,其特征在于所述高温层压工艺包含以下3个阶段:
阶段1:碳氢树脂交联固化阶段:该阶段应在预压阶段之后,其工艺特征在于温度范围:120℃-200℃,优选温度:150-180℃,压力1.0-2.0MPa,持续时间1-3H;
阶段2:结晶升温阶段:该阶段为结晶准备阶段,需将温度在10min-60min内提升至290-300℃,另外需在抽真空状态热压工艺去除氧气,防止高温热氧老化;
阶段3:该阶段特征温度:温度范围290℃-310℃,压力0.2-1.0Mpa,持续时间1-10min,另外需在抽真空状态热压工艺去除氧气,防止高温热氧老化。
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