[发明专利]晶片加工方法和晶片加工装置

权利要求书

1.一种晶片加工方法，将晶片分割成各个芯片，其中，

该晶片加工方法构成为包含如下的工序：

保持工序，将晶片保持于保持单元；

破坏层形成工序，将冲击波的会聚点定位于该保持单元所保持的晶片而在要分割的区域形成破坏层；以及

分割工序，将该破坏层作为起点而将晶片分割成各个芯片。

2.一种晶片加工装置，其将晶片分割成各个芯片，其中，

该晶片加工装置构成为包含：

保持单元，其对晶片进行保持；以及

破坏层形成单元，其将冲击波的会聚点定位于该保持单元所保持的晶片而在要分割的区域形成破坏层。

3.根据权利要求2所述的晶片加工装置，其中，

该破坏层形成单元是照射脉冲激光光线的第一激光光线照射单元，通过该第一激光光线照射单元将每一个脉冲的激光光线形成为按照每个波长而具有时间差的环状，向晶片照射该形成为环状的脉冲激光光线从而在要分割的区域生成冲击波而形成会聚点，通过该第一激光光线照射单元来调整该时间差，从而设定该冲击波的会聚点的位置。

4.根据权利要求2所述的晶片加工装置，其中，

该破坏层形成单元包含：

液体层形成单元，其在晶片的上表面上形成液体层；

第二激光光线照射单元，其将脉冲激光光线的聚光点定位于该液体层而进行照射；以及

椭圆穹顶，其浸渍于该液体层，

按照如下方式设定：将该脉冲激光光线的聚光点定位于该椭圆穹顶的第一焦点而进行照射，在该液体层中生成冲击波，将该椭圆穹顶的第二焦点定位于晶片的要分割的区域，从而使该第二焦点成为冲击波的会聚点。

5.根据权利要求2所述的晶片加工装置，其中，

该破坏层形成单元包含：

液体层形成单元，其在晶片的上表面上形成液体层；

第三激光光线照射单元，其照射脉冲激光光线；以及

冲击波生成单元，其浸渍于该液体层，通过脉冲激光光线的照射而在液体层中生成冲击波，并形成该冲击波的会聚点，

通过该冲击波生成单元而形成的会聚点被定位于晶片的要分割的区域。