[发明专利]三维存储器及其控制方法有效
| 申请号： | 202110004636.3 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112614530B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 赵向南;关蕾;黄莹;刘红涛;宋雅丽 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/08;G11C16/34;G11C5/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 控制 方法 | ||
1.一种三维存储器的控制方法，其特征在于，所述三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个所述存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元，每条所述字线与每个所述存储串中位于相同高度的存储单元相连，所述方法包括：
确定进行验证操作及读取操作的目标字线；
在所述验证操作及所述读取操作时分别对所述目标字线施加验证电压和读取电压；
在所述验证操作及所述读取操作时对与在所述验证操作时为未编程状态的存储单元相连的第一字线组中的多个字线施加第一导通电压；以及
在所述验证操作及所述读取操作时对与在所述验证操作时为已编程状态的存储单元相连的第二字线组中的至少一部分字线施加第二导通电压，所述目标字线连接的所述存储单元连接于所述第一字线组及所述第二字线组连接的所述存储单元之间；
其中，所述第二导通电压小于所述第一导通电压。
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，当仅对所述第二字线组中的一部分字线施加所述第二导通电压时，对所述第二字线组中未施加所述第二导通电压的字线施加所述第一导通电压。
3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第二字线组中施加所述第二导通电压的字线的数量为所述第二字线组中字线总数的80%至100%。
4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第二字线组中施加所述第二导通电压的字线为连续的字线。
5.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，还包括对所述第二字线组中靠近所述目标字线的至少一个字线施加所述第一导通电压，其中，所述第二字线组中施加所述第一导通电压的字线未被施加所述第二导通电压。
6.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一导通电压的大小为6V至8V。
7.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第二导通电压的大小为5V至7V。
8.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第二导通电压的大小为所述第一导通电压的大小的85%至100%。
9.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述编程为正向编程或反向编程。
10.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个所述存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元，每条所述字线与每个所述存储串中位于相同高度的存储单元相连，所述三维存储器还包括：
控制电路，配置为确定进行验证操作及读取操作的目标字线；在所述验证操作及所述读取操作时分别对所述目标字线施加验证电压和读取电压；在所述验证操作及所述读取操作时对与在所述验证操作时为未编程状态的存储单元相连的第一字线组中的多个字线施加第一导通电压；以及在所述验证操作及所述读取操作时对与在所述验证操作时为已编程状态的存储单元相连的第二字线组中的至少一部分字线施加第二导通电压，所述目标字线连接的所述存储单元连接于所述第一字线组及所述第二字线组连接的所述存储单元之间；
其中，所述第二导通电压小于所述第一导通电压。
11.根据权利要求10所述的三维存储器，其特征在于，所述第二字线组中施加所述第二导通电压的字线的数量为所述第二字线组中字线总数的80%至100%。
12.根据权利要求10所述的三维存储器，其特征在于，所述第二导通电压的大小为所述第一导通电压的大小的85%至100%。
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