[发明专利]封装结构在审

专利信息
申请号: 202110003611.1 申请日: 2021-01-04
公开(公告)号: CN112838076A 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 王超;沈天尔;苗健;徐齐;锁志勇 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/16;H01L23/00
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 刘鹤;张颖玲
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构
【说明书】:

发明实施例公开了一种封装结构,包括:多个裸片;所述多个裸片沿第一方向堆叠,每个裸片上设置有第一沟槽;通过所述第一沟槽相应裸片上的第一结构被分成为两个隔离的子区域;多个裸片对应的多个第一沟槽在第一平面上的投影不完全重叠,所述第一方向垂直于所述第一平面。本发明实施例提供的封装结构具有较好的强度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术,涉及但不限于一种封装结构。

背景技术

一些半导体芯片(例如,闪存存储器)已普遍用于数据存储。这些半导体芯片的使用者总期望数据存储容量能不断增长,并且制造者力求以低成本方式提供较大的存储容量,同时保持标准的封装尺寸,以确保与现有电子器件的兼容性。

通过在单个封装中堆叠多个半导体裸片(英文可以表达为Die)能提高单个封装中的存储密度。相对于单个裸片,裸片数量的增多会相应地提高存储容量。然而,相关技术中,这种堆叠多个半导体裸片的封装结构强度较差,从而使最终形成的半导体芯片可靠性不佳。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例为解决相关技术中存在的至少一个问题而提供一种封装结构。

本发明实施例的技术方案是这样实现的:

本发明实施例提供一种封装结构,包括:

多个裸片;所述多个裸片沿第一方向堆叠,每个裸片上设置有第一沟槽;通过所述第一沟槽相应裸片上的第一结构被分成为两个隔离的子区域;

多个裸片对应的多个第一沟槽在第一平面上的投影不完全重叠,所述第一方向垂直于所述第一平面。

上述方案中,所述多个裸片包括第一部分、第二部分及第三部分;其中,

所述第一部分包含一个裸片,所述第二部分包含至少两个裸片,所述第三部分包含至少两个裸片;

所述第二部分和所述第三部分分别在所述第一部分的不同表面上堆叠;所述第二部分相对所述第一部分存在第二方向的偏移;所述第二方向包括与所述第一方向垂直的任一方向;所述第三部分相对所述第一部分存在第三方向的偏移;所述第三方向包括与所述第一方向垂直的任一方向;所述第二方向与所述第三方向相同或不同。

上述方案中,所述第二部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的底面接触;所述第二部分中沿堆叠方向的第i个裸片相对于第i-1个裸片存在所述第二方向的偏移;所述第三部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的顶面接触;所述第三部分中沿堆叠方向的第j个裸片相对于第j-1个裸片存在所述第三方向的偏移;所述第二方向、第三方向均与所述第一方向垂直,且与所述第一沟槽的延伸方向垂直;

和/或,

所述第二部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的底面接触;所述第二部分中沿堆叠方向的第i个裸片相对于第i-1个裸片存在所述第二方向的偏移;所述第三部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的顶面接触;所述第三部分中沿堆叠方向的第j个裸片相对于第j-1个裸片存在所述第三方向的偏移;所述第二方向、第三方向均与所述第一方向垂直,且与所述第一沟槽的延伸方向相同;

其中,所述i、j均为整数,且2≤i≤M、2≤j≤N;所述M为第二部分中包含的裸片的数量,所述N为第三部分中包含的裸片的数量。

上述方案中,所述第二部分中的各裸片间偏移的距离均相等;

和/或,

所述第三部分中的各裸片间偏移的距离均相等。

上述方案中,所述第二部分中的各裸片间偏移的距离均为第一距离,所述第三部分中的各裸片间偏移的距离均为第二距离;所述第一距离和所述第二距离相等。

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