[发明专利]集成组合件内的基础支撑件

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

基底；

存储器单元，其在所述基底上面且沿着沟道材料柱；

导电结构，其在所述存储器单元与所述基底之间；所述沟道材料柱与所述导电结构耦合；以及

基础结构，其延伸到所述基底中且向上突出到所述导电结构上方的层级；所述基础结构将所述导电结构锁定到所述基底以对所述导电结构提供基础支撑。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述基础结构包括绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述基础结构包括氮化硅、二氧化硅及氧化铝中的一或多者。

4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述基础结构包括导电材料。

5.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述基础结构包括钨、钛、氮化钨、硅化钨、氮化钛及硅化钛中的一或多者。

6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述基础结构包括半导体材料。

7.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述基础结构包括硅及锗中的一或两者。

8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述基础结构穿透所述导电结构。

9.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述基础结构经配置为支柱。

10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述支柱具有圆形俯视横截面。

11.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述支柱仅包括单种均质组合物。

12.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述支柱包括两种或更多种不同组合物的叠层。

13.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电结构穿透所述基础结构。

14.根据权利要求13所述的集成组合件，其中所述基础结构经配置为壁。

15.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述基底包括单晶硅，且其中所述基础结构延伸到所述基底的所述单晶硅中。

16.根据权利要求15所述的集成组合件，其中所述单晶硅是单晶硅晶片的块状单晶硅。

17.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述基础结构延伸到所述基底中到至少约50nm的深度。

18.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述基础结构延伸到所述基底中到至少约100nm的深度。

19.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述基础结构延伸到所述基底中到至少约500nm的深度。

20.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述基础结构延伸到所述基底中到在从约50nm到约1微米的范围内的深度。

21.一种集成组合件，其包括：

基底；

导电源结构，其在所述基底上面；

存储器层级，其在所述导电源结构上面且包括沿着沟道材料柱的存储器单元；所述沟道材料柱与所述导电源结构耦合；以及

基础支撑销，其延伸到所述基底中且向上突出穿过所述导电源结构；所述基础支撑销将所述导电源结构锁定到所述基底以对所述导电源结构提供基础支撑。