[发明专利]OLED背板及其制备方法

说明书

一种OLED背板，包括：衬底、阵列结构层、同层设置于所述阵列结构层上的源漏极金属层及反射金属层、设置于所述反射金属层上的第一氧化铟锡层、设置于所述阵列结构层上的钝化层、设置于所述钝化层上的第二氧化铟锡层以及像素限定层；其中，所述钝化层还具有第一开口结构，所述第一开口结构暴露出部分所述第一氧化铟锡层；所述第二氧化铟锡层完全覆盖位于第一开口结构内的部分所述第一氧化铟锡层；所述反射金属层、所述第一氧化铟锡层以及所述第二氧化铟锡层构成所述OLED背板的阳极，所述第二氧化铟锡层经由所述钝化层上的第一过孔与所述源漏极金属层电连接。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED背板及其制备方法。

背景技术

有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板采用自发光器件，具有外观轻薄、功耗低、视角宽等优点，已成为显示领域极具发展潜力的技术。顶发光OLED器件的发光效率及发光波长准确控制，一直是OLED器件研发的难题。影响它的主要因素之一是：OLED器件腔长的控制(一般指阳极底部反射电极至阴极之间的距离)。由于微腔效应的影响，OLED器件中的各子像素(sub-pixel)的发光效率及波普位置均不是最佳化，尤其对出光波普的位置精度影响较大,导致OLED器件的寿命，效率较低。

目前顶发光OLED器件的阳极一般为反射金属层与透明导电膜组成的结构，通常由一张光罩完成。其中，透明导电膜一般为低膜厚的氧化铟锡(150埃米)。通常依靠OLED有机材料的本身厚度调节腔长比较困难，因此阳极结构上的导电膜的厚度对腔长的调节有着重要作用。本领域技术人员通过对顶发光OLED器件的最佳效率进行模拟，得出当透明导电膜的厚度约为800埃米时，顶发光OLED器件的发光效率最高。

现有技术对OLED器件腔长的弥补主要有两种方案：第(1)：将透明导电膜加厚至800埃米；但透明导电膜加厚至400埃米以上时易结晶，导致蚀刻残留，特别是沉积在反射金属层基底上(一般是Ag或Al或其他反射金属)时，结晶越发严重，无法正常蚀刻；第(2)：在透明导电膜与反射金属层之间增加透明材料层(Spacer)，如SiO或其他透明有机材料，但其图形化需要引入光罩工艺(Photo)、化学气相沉积工艺(CVD)以及蚀刻处理工艺等，制程复杂，不利于量产可行性。

因此，有必要提供一种OLED背板及其制备方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本申请提供一种OLED背板及其制备方法，以解决现有的OLED背板及其制备方法，通过增加透明导电膜膜厚对OLED器件的腔长进行弥补时，造成透明导电膜蚀刻困难的技术问题。

为达到上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

本申请实施例提供一种OLED背板，包括：衬底、设置于所述衬底上的阵列结构层、同层设置于所述阵列结构层上的源漏极金属层及反射金属层、设置于所述反射金属层上的第一氧化铟锡层、设置于所述阵列结构层上的钝化层、设置于所述钝化层上的第二氧化铟锡层以及像素限定层；

其中，所述钝化层分别覆盖所述源漏极金属层以及部分所述第一氧化铟锡层，所述钝化层还具有第一开口结构，所述第一开口结构暴露出部分所述第一氧化铟锡层；所述第二氧化铟锡层完全覆盖位于所述第一开口结构内的部分所述第一氧化铟锡层，所述像素限定层覆盖部分所述第二氧化铟锡层；所述反射金属层、所述第一氧化铟锡层以及所述第二氧化铟锡层构成所述OLED背板的阳极，所述第二氧化铟锡层经由所述钝化层上的第一过孔与所述源漏极金属层电连接。

在一些实施例中，所述第一氧化铟锡层的厚度小于或等于所述第二氧化铟锡层的厚度大于或等于

在一些实施例中，所述反射金属层的材料为银或铝。