[发明专利]用于形成三维集成芯片的方法和多维集成芯片结构

说明书

本发明涉及用于形成多维集成芯片结构的方法。在一些实施例中，方法可以通过将第二衬底接合至第一衬底的上表面来实施。第一边缘修整切割沿第一环路实施，并且延伸至第二衬底的第一外围部分中。第二边缘修整切割沿第二环路实施，并且延伸至第二衬底的第二外围部分中并且延伸至第一衬底中。第三边缘修整切割沿第三环路实施，并且延伸至第一衬底的第三外围部分中。本申请的实施例还涉及多维集成芯片结构。

技术领域

本申请的实施例涉及用于形成三维集成芯片的方法和多维集成芯片结构。

背景技术

许多现代电子器件使用在半导体器件制造工艺期间在半导体晶圆上形成的集成电路。越来越多地，可以将半导体晶圆堆叠并且接合在一起以形成三维集成电路(3DIC)。3DIC比传统的二维集成电路(2DIC)具有许多优势，诸如更高的器件密度、更高的速度和更低的功耗。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种用于形成多维集成芯片结构的方法，包括：将第二衬底接合至第一衬底的上表面；实施第一边缘修整切割，沿第一环路并且延伸至所述第二衬底的第一外围部分中；实施第二边缘修整切割，沿第二环路并且延伸至所述第二衬底的第二外围部分并且延伸至所述第一衬底中；以及实施第三边缘修整切割，沿第三环路并且延伸至所述第一衬底的第三外围部分中。

本申请的另一些实施例提供了一种用于形成三维集成芯片的方法，包括：将第二半导体晶圆的下表面接合至第一半导体晶圆的上表面；将第三半导体晶圆的下表面接合至所述第二半导体晶圆的上表面；绕所述第三半导体晶圆的第一外围部分实施第一类型的边缘修整切割；绕所述第三半导体晶圆的第二外围部分、绕所述第二半导体晶圆的第三外围部分以及绕所述第一半导体晶圆的第四外围部分周围实施第二类型的边缘修整切割，其中，所述第二类型的边缘修整切割与所述第一类型的边缘修整切割不同；以及绕所述第一半导体晶圆的第五外围部分实施第三类型的边缘修整切割。

本申请的又一些实施例提供了一种多维集成芯片结构，包括：第一衬底，包括第一上表面和位于所述第一上表面之上的第二上表面，其中，所述第一上表面的第一最外周界大于所述第二上表面的第二最外周界；以及第二衬底，位于所述第一衬底上方，其中，第二衬底包括位于所述第二上表面之上的第三上表面，并且其中，所述第三上表面的第三最外周界小于所述第二上表面的第二最外周界。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A示出了已经经历多步边缘修整工艺的多维集成芯片结构的一些实施例的截面图。

图1B示出了图1A的多维集成芯片结构的一些实施例的顶视图。

图2A示出了已经经历多步边缘修整工艺的多维集成芯片结构的一些额外的实施例的截面图。

图2B示出了图2A的多维集成芯片结构的一些实施例的顶视图。

图3示出了所公开的多维集成芯片结构的一些额外的实施例的截面图。

图4A示出了多维集成芯片结构的一些额外的实施例的截面图。

图4B示出了从图4A的多维集成芯片结构切割的多维集成芯片管芯的一些实施例的截面图。

图5A至图6C示出了所公开的多维集成芯片结构的修整边缘的一些实施例的截面图。

图7至图10示出了在多维集成芯片结构上实施多步边缘修整工艺的方法的一些实施例。

图11A至图11B示出了不同类型的边缘修整步骤的一些实施例。

图12示出了列出了可以用于实现图7至图10示出的方法的不同工艺的一些实施例的图表。