[发明专利]离子注入设备及离子注入方法有效
| 申请号： | 202110002080.4 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112820613B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 於成星;刘小辉;张和;周静兰;刘修忠;沈保家;李军辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/147 | 分类号： | H01J37/147;H01J37/317;H01L21/67;H01L21/265;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;王月玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 设备 方法 | ||
1.一种离子注入设备，其中，包括：
承载台，用于承载半导体结构；
离子源单元，用于产生等离子束，并使所述等离子束向所述半导体结构运动；
导向电极，位于所述离子源单元和所述承载台之间，所述导向电极包括多个通孔，至少一个所述通孔的孔道倾斜，所述通孔的倾斜度与所述半导体结构中沟槽的倾斜角度匹配，用于使所述等离子束经过所述通孔后的注入角度与所述半导体结构中沟槽的倾斜角度匹配。
2.根据权利要求1所述的离子注入设备，其中，所述导向电极上施加电场以调整所述等离子束的注入角度。
3.根据权利要求1所述的离子注入设备，其中，所述通孔与所述沟槽的位置相对应。
4.根据权利要求1所述的离子注入设备，其中，所述等离子束通过位于同一个圆形阵列的通孔以相同角度注入所述半导体结构。
5.根据权利要求1所述的离子注入设备，其中，所述等离子束通过位于不同圆形阵列中的通孔以不同角度注入所述半导体结构。
6.根据权利要求3所述的离子注入设备，其中，所述多个通孔呈同心圆阵列排布，所述通孔的横截面为圆形、圆环形或者弧形。
7.根据权利要求2所述的离子注入设备，其中，还包括电压源，分别向所述导向电极提供第一电压以及向所述承载台提供第二电压，所述导向电极和所述承载台之间形成由所述导向电极指向所述承载台的电场。
8.根据权利要求6所述的离子注入设备，其中，所述导向电极上施加的第一电压大于所述承载台上施加的第二电压。
9.根据权利要求1所述的离子注入设备，其中，所述承载台为平板电极或者电子夹具。
10.一种离子注入方法，其中，包括：
提供半导体结构，所述半导体结构具有沟槽；
采用如权利要求1-9任一项所述的离子注入设备将等离子束按预设角度注入沟槽底部，其中，所述预设角度与所述沟槽的倾斜角度一致。
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