[发明专利]感测装置和电子装置在审
| 申请号: | 202080098819.X | 申请日: | 2020-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN115336012A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
| 发明(设计)人: | 宫之原明彦;樋山拓己 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01L31/107;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 沈丹阳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 装置 电子 | ||
1.一种感测装置,包括:
预定数量的像素电路,每个像素电路包括光电转换元件和检测电路,在所述光电转换元件的阳极和阴极之间将预定的反向偏置电压施加至所述光电转换元件,所述检测电路基于所述阳极或所述阴极的电位来检测光子是否存在;以及
电压控制单元,将所述反向偏置电压调整为与每个所述像素电路的所述光电转换元件的击穿电压对应的值。
2.根据权利要求1所述的感测装置,其中,
所述电压控制单元包括预定数量的单独偏置电路,所述单独偏置电路分别连接至不同的像素电路,以各自将预定的单独偏置电位供应至所述阳极和所述阴极中的一个。
3.根据权利要求2所述的感测装置,其中,
所述电压控制单元还包括共同连接至预定数量的所述像素电路的公共偏置电路,以将预定的公共偏置电位供应至所述阳极和所述阴极中的另一个。
4.根据权利要求2所述的感测装置,其中,
所述单独偏置电路将所述单独偏置电位供应至所述阴极。
5.根据权利要求2所述的感测装置,其中,
所述单独偏置电路将所述单独偏置电位供应至所述阳极。
6.根据权利要求2所述的感测装置,其中,
所述像素电路和所述单独偏置电路布置在预定数量的像素中的每个像素中。
7.根据权利要求2所述的感测装置,其中,
预定数量的所述像素电路分散地布置在多个像素块中,并且
所述单独偏置电路布置在所述多个像素块中的每个像素块中。
8.根据权利要求2所述的感测装置,其中,
预定数量的所述像素电路分散地布置在多条线中,并且
所述单独偏置电路布置在所述多条线中的每条线中。
9.根据权利要求8所述的感测装置,其中,
所述单独偏置电路布置在像素阵列单元中热分布未被偏置的位置处。
10.根据权利要求2所述的感测装置,还包括:
分压电阻器网络,在所述分压电阻器网络中,预定数量的节点经由电阻器彼此连接,其中,
预定数量的所述节点分别连接至不同的所述单独偏置电路,并且
每个单独偏置电路供应与参考电压对应的单独偏置电压,所述参考电压是连接的每个节点的电压。
11.根据权利要求10所述的感测装置,还包括:
测量值存储单元,存储每个所述像素电路的所述光电转换元件的击穿电压的测量值;以及
设置单元,基于所述测量值设置所述参考电压。
12.根据权利要求1所述的感测装置,其中,
所述电压控制单元执行控制以保持所述击穿电压相对于所述检测电路中的每个像素电路的目标值的误差,并且将与所述误差对应的电位施加至所述阳极。
13.根据权利要求12所述的感测装置,其中,
所述检测电路包括:
电源复位开关,断开或闭合所述阴极与电源电位之间的路径;
电容器,插入在所述阳极与低于预定参考电位的低电位之间;
阳极复位开关,断开或闭合所述电容器的两端之间的路径;
阴极复位开关,断开或闭合所述阴极与所述参考电位之间的路径;以及
逻辑门,基于所述阴极的电位生成脉冲信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





