[发明专利]电功率模块

权利要求书

1.一种集成半导体功率晶体管封装(10)，包括

一半桥电路(100)，包括与低侧开关(130)的正功率端子串联连接的高侧开关(110)的负功率端子；每个开关(110、130)包括多个电并联连接的半导体功率晶体管管芯(400a、400b)；一第一基板(41)，具有覆层(415c)，覆层(415c)烧结接合至至少一个半导体功率晶体管管芯(400b)，至少一个半导体功率晶体管管芯(400b)限定所述低侧功率开关(130)；

一第二基板(41)，与所述第一基板(41)平行；所述第二基板(44)具有覆层(445d)，覆层(445d)烧结接合至至少一个半导体功率晶体管管芯(400a)，至少一个半导体功率晶体管管芯(400a)限定所述高侧功率开关(110)；

多个竖直间隔件(425b)，将至少一个半导体功率晶体管管芯(400b)烧结接合到所述第二基板(44)的覆层(445c)，其中至少一个半导体功率晶体管管芯(400b)限定所述第一基板(41)上的低侧功率开关(130)；

多个竖直间隔件(425a)，将至少一个半导体功率晶体管管芯(400a)烧结接合到第一基板(41)的覆层(415c)，其中至少一个半导体功率晶体管管芯(400a)限定所述第二基板上的高侧功率开关(110)；和

密封剂(460)，其至少密封所述第一和第二基板(41、44)之间的空腔。

2.根据权利要求1所述的集成半导体功率晶体管封装(10)，其特征在于，还包括：

一电互连结构，形成每个半导体功率晶体管管芯(400a、400b)的负电源端子焊盘(220)和引线框架引脚(505b)之间的开尔文栅极返回信号路径。

3.根据前述权利要求中任一项所述的集成半导体功率晶体管封装(10)，其特征在于，还包括：

至少一个引线框架引脚(505a)，接合到所述第一基板(41)的覆层；和

至少一个引线框架引脚(605a)，接合到所述第二基板(44)的覆层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的集成半导体功率晶体管封装(10)，其特征在于，还包括：

至少一个散热器(405a)，接合到所述第一基板(41)的所述外覆层(415a)；和

至少一个散热器(405b)，接合到所述第二基板(44)的所述外覆层(445a)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的集成半导体功率晶体管封装(10)，其特征在于，还包括：

多个电阻器(810a-810d)；和

一互连结构，形成电气路径，其中电阻器(810a-810d)中的至少一个串联连接在引线框架引脚(505a)和每个半导体功率晶体管管芯(400a、400b)的栅极端子焊盘(415e)之间。

6.根据前述权利要求中任一项所述的集成半导体功率晶体管封装(10)，其特征在于，还包括：

至少一个能量吸收缓冲管芯(820a、820b)；和

一互连结构，在这种缓冲管芯端子与所述半桥电路(100)的正电压外部端子和负电压外部端子之间形成电气连接。