[发明专利]制作双侧半导体装置的方法及相关装置、组合件、封装及系统

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

裸片，其包括半导体材料，所述裸片包括两个裸片部分：

第一裸片部分上的第一有源表面，其包括第一有源电路系统；及

第二裸片部分上的第二有源表面，其包括第二有源电路系统；

所述第一裸片部分与所述第二裸片部分接合在一起，其中所述第一有源表面背对所述第二有源表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括至少一个通孔，所述至少一个通孔包括从所述第一有源表面延伸穿过所述第一裸片部分的第一通孔部分及从所述第二有源表面延伸穿过所述第二裸片部分的第二通孔部分，所述第二通孔部分与所述第一通孔部分对准且接触所述第一通孔部分。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中：

相邻于所述第一裸片部分的第一FEOL结构包含所述第一有源电路系统，第一BEOL结构位于所述第一FEOL结构的与所述第一裸片部分相对的一侧上，且相邻于所述第一BEOL结构的第一互连件经定位而与所述第一FEOL结构相对；且

相邻于所述第二裸片部分的第二FEOL结构包含所述第二有源电路系统，第二BEOL结构位于所述第二FEOL结构的与所述第二裸片部分相对的一侧上，且相邻于所述第二BEOL结构的第二互连件经定位而与所述第二FEOL结构相对。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其进一步包括通孔，所述通孔各自包括从所述第一有源表面延伸穿过所述第一裸片部分的第一通孔部分及从所述第二有源表面延伸穿过所述第二裸片部分的第二通孔部分，所述第二通孔部分与所述第一通孔部分对准且接触所述第一通孔部分。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述通孔中的每一者从所述第一FEOL结构与所述第二FEOL结构之间、所述第一BEOL结构与所述第二BEOL结构之间或所述第一互连件与所述第二互连件之间延伸。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一FEOL结构及所述第一BEOL结构在结构及功能上至少实质上与所述第二FEOL结构及所述第二BEOL结构相同。

7.一种半导体装置的组合件，其包括：

堆叠的半导体存储器装置，所述半导体装置中的至少一者包括：

复合半导体裸片，其包括背对背接合的两个裸片部分；

第一裸片部分上的第一有源表面，其包括第一集成存储器电路系统；及

第二裸片部分上的第二有源表面，其包括第二集成存储器电路系统。

8.根据权利要求7所述的组合件，其中在堆叠中位于上覆相应半导体存储器装置下方的至少每一下伏相应半导体存储器装置包括：

复合半导体裸片，其包括背对背接合的两个裸片部分；

第一裸片部分上的第一有源表面，其包括第一集成存储器电路系统；及

第二裸片部分上的第二有源表面，其包括第二集成存储器电路系统。

9.根据权利要求8所述的组合件，其中：

每一上覆相应半导体存储器装置或除最顶端相应半导体存储器装置以外的每一上覆相应半导体存储器装置通过所述上覆相应半导体存储器装置的相应第二有源表面与下伏相应存储器半导体装置的相应第一有源表面之间的电连接而连接到所述下伏相应半导体存储器装置；

每一下伏相应半导体存储器装置通过所述下伏相应半导体存储器装置的所述相应第一有源表面与上覆相应半导体存储器装置的所述相应第二有源表面之间的电连接而连接到所述上覆相应半导体存储器装置；且

除所述堆叠中的所述最顶端相应半导体存储器装置以外的每一相应半导体存储器装置的所述相应第一有源表面通过延伸穿过相应裸片的至少一个通孔电连接到所述相应第二有源表面，所述至少一个通孔包括所述第一裸片部分的通孔部分及所述第二裸片部分的第二通孔部分。