[发明专利]包含式(1)化合物的有机电子器件、包括所述有机电子器件的显示装置以及用于有机电子器件中的式(1)化合物

权利要求书

1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、阴极、至少一个光活性层和至少一个半导体层，其中所述至少一个半导体层布置在所述阳极和所述至少一个光活性层之间；并且其中所述至少一个半导体层包含式(1)的化合物：

其中

M是金属离子

x是M的化合价

B¹选自被取代或未被取代的C₁至C₁₆烷基，

R¹至R⁵独立地选自H、F、CN、卤素、被取代或未被取代的C₁至C₆烷基、被取代或未被取代的C₆至C₁₂芳基、被取代或未被取代的C₃至C₁₂杂芳基，

其中B¹和/或R¹至R⁵上的取代基选自D、C₆芳基、C₃至C₉杂芳基、C₁至C₆烷基、C₁至C₆烷氧基、C₃至C₆支链烷基、C₃至C₆环状烷基、C₃至C₆支链烷氧基、C₃至C₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₆烷氧基、COR⁶、COOR⁶、卤素、F或CN；

并且其中R¹至R⁵中的至少一者选自被取代或未被取代的C₁至C₆烷基或CN。

2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中B¹或R¹至R⁵上的取代基选自卤素，尤其优选F，C₁至C₃全卤化、尤其是全氟化的烷基或烷氧基，或-(O)_l-C_mH_2m-C_nHal_n2n+1，其中l＝0或1，尤其是0，m＝1或2，尤其是1，并且n＝1至3，尤其是1或2，并且Hal＝卤素，尤其是F。

3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中B¹或R¹至R⁵中的至少一者是被取代的烷基，并且烷基部分的取代基是氟，数目n_F(氟取代基的数目)和n_H(氢的数目)遵循关系式：n_Fn_H+2。

4.根据权利要求1或3所述的有机电子器件，其中B¹或R¹至R⁵中的至少一者选自全氟化烷基。

5.根据权利要求1或4所述的有机电子器件，其中R¹至R⁵中的至少一者是三氟甲基。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的有机电子器件，其中M的原子量≥22Da。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的有机电子器件，其中M选自金属离子，其中相应金属的艾伦电负值小于2.4。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的有机电子器件，其中所述式(1)的化合物不含烷氧基、COR⁶和/或COOR⁶基团。