[发明专利]固化性树脂膜、复合片、及半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种固化性树脂膜，其用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件(I)，

条件(I)

在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的所述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定所述试验片的储能模量，在将所述试验片的应变为1％时的所述试验片的储能模量设为Gc1、将所述试验片的应变为300％时的所述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000，

X＝Gc1/Gc300····(i)。

2.根据权利要求1所述的固化性树脂膜，其中，

在所述条件(I)中，Gc300低于15,000。

3.一种复合片，其用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，

所述复合片具有使支撑片和固化性树脂的层层叠而成的层叠结构，

所述固化性树脂为权利要求1或2所述的固化性树脂膜。

4.一种使用方法，该方法包括：

将权利要求1或2所述的固化性树脂膜用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块。

5.一种使用方法，该方法包括：

将权利要求3所述的复合片用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块。

6.一种半导体芯片的制造方法，该方法依次包括下述工序(S1)～(S4)，

·工序(S1)：准备在具有凸块形成面的半导体晶片的所述凸块形成面以不到达背面的方式形成有作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片的工序，所述凸块形成面具备凸块；

·工序(S2)：将第一固化性树脂(x1)按压并粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面，在利用所述第一固化性树脂(x1)包覆所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面的同时，使所述第一固化性树脂(x1)填入形成在所述半导体芯片制作用晶片上的所述槽部的工序；

·工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的工序；

·工序(S4)：将所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片沿着所述分割预定线进行单片化，得到至少所述凸块形成面及侧面被所述第一固化树脂膜(r1)包覆的半导体芯片的工序，

在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或所述工序(S4)中，进一步包括下述工序(S-BG)，

·工序(S-BG)：对所述半导体芯片制作用晶片的所述背面进行磨削的工序，

作为所述第一固化性树脂(x1)，使用权利要求1或2所述的固化性树脂膜。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片的制造方法，其中，

所述工序(S2)通过以下方式来实施：将具有使第一支撑片(Y1)和所述第一固化性树脂(x1)的层(X1)层叠而成的层叠结构的第一复合片(α1)以所述层(X1)为粘贴面按压并粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片的制造方法，其中，

在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前包括所述工序(S-BG)，

所述工序(S-BG)通过以下方式来实施：在粘贴有所述第一复合片(α1)的状态下对所述半导体芯片制作用晶片的所述背面进行了磨削之后，将所述第一支撑片(Y1)从所述第一复合片(α1)剥离，

所述工序(S4)通过以下方式来实施：对所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的所述第一固化树脂膜(r1)中形成于所述槽部的部分沿着所述分割预定线进行切断。