[发明专利]量测方法在审
| 申请号: | 202080089819.3 | 申请日: | 2020-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN114846411A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
| 发明(设计)人: | E·巴德尔 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 张宁 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 方法 | ||
1.一种检查工具,包括:
成像系统,所述成像系统被配置为对形成在衬底上的目标进行成像,所述目标包括形成在第一图案化层中的多个第一目标单位以及形成在第二图案化层中的多个第二目标单位,所述多个第二目标单位与相应一些第一目标单位套刻,每个第一目标单位包括第一目标特征,每个第二目标单位具有第二目标特征,其中所述多个第二目标单位中的一些第二目标单位具有相对于参考位置分别以不同的偏移被定位的所述第二目标特征;和
图像分析系统,所述图像分析系统被配置为:基于所述第二目标单位中的所述第二目标特征的边缘相对于在下面的所述第一目标单位的所述第一目标特征的边缘的位置,确定边缘放置。
2.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述图像分析系统被配置为:通过检测在哪个目标单位中存在特征边缘的预定位置关系,确定位置误差的量值。
3.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述成像系统包括扫描电子显微镜。
4.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为对目标进行成像,其中所述不同的偏移在大于或等于所述第一目标特征的边缘的标称位置与所述第二目标特征的边缘的标称位置之间的距离的范围内变化。
5.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为对目标进行成像,其中所述第二目标单位包括至少一对第二目标单位,所述至少一对第二目标单位中的相应第二目标特征具有相反偏移。
6.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为对目标进行成像,其中所述第二目标单位中的所述第二目标特征的所述偏移被定向在一个方向上。
7.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为对目标进行成像,其中所述第二目标单位中的所述第二目标特征的所述偏移包括被定向在多于一个方向上的偏移。
8.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为对目标进行成像,其中存在至少5个、至少7个或至少9个第一目标单位和第二目标单位。
9.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为获得套刻在所述第一目标单位上的多个第二目标单位的单个图像。
10.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为对目标进行成像,其中所述第一图案化层包括多个第一器件特征;所述第二图案化层包括多个第二器件特征;所述第一目标特征对应于所述第一器件特征;并且所述第二目标特征对应于所述第二器件特征。
11.根据权利要求10所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为对目标进行成像,其中所述第二目标特征相对于所述第一目标特征的位置不同于所述第二器件特征相对于所述第一器件特征的位置。
12.根据权利要求10所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为对目标进行成像,其中所述第一器件特征和所述第二器件特征分别选自由线、切割特征、块特征和孔组成的群组中。
13.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为对目标进行成像,其中所述第一器件特征和所述第二器件特征是光刻-蚀刻-光刻-蚀刻图案的连续曝光的特征。
14.根据权利要求1所述的检查工具,其中所述成像系统被配置为对形成在划道中的目标进行成像。
15.一种量测方法,包括:
在衬底上执行第一次曝光,以形成包括多个第一目标单位的第一图案化层,每个第一目标单位包括第一目标特征;
在所述衬底上执行第二次曝光,以形成第二图案化层,所述第二图案化层包括与相应一些第一目标单位套刻的多个第二目标单位,每个第二目标单位具有第二目标特征,其中所述多个第二目标单位中的一些第二目标单位具有相对于参考位置分别以不同的偏移被定位的第二目标特征;
对套刻在所述第一目标单位上的所述第二目标单位进行成像;以及
基于第二目标单位中的第二目标特征的边缘相对于在下面的所述第一目标单位的所述第一目标特征的边缘的位置,确定边缘放置误差。
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