[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202080088275.9 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN114868251A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 任铉德;姜锺赫;赵显敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/12;H01L25/16;H01L21/768;H01L33/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一电极,设置为在第一方向上延伸;
第二电极,设置为在所述第一方向上延伸,并且在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一电极间隔开;
发光元件,具有在一个方向上延伸的形状,并且设置在所述第一电极与所述第二电极之间,使得所述一个方向与所述第二方向平行;
第一接触电极,具有在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸的形状,并且包括设置在所述第一电极上的至少一部分;以及
第二接触电极,具有在所述第三方向上延伸的形状,设置为在与所述第三方向交叉的第四方向上与所述第一接触电极间隔开,并且包括设置在所述第二电极上的至少一部分,
其中,所述第一接触电极与所述发光元件的一侧接触,并且
所述第二接触电极与所述发光元件的另一侧接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极中的每个具有在所述第三方向上延伸的形状,所述第三方向与所述第一电极和所述第二电极沿其延伸的所述第一方向形成第一倾斜角。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一倾斜角在10°至80°的范围内。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述发光元件包括在所述一个方向上的第一端表面和第二端表面,
所述第一接触电极与所述第一端表面的一部分接触,并且
所述第二接触电极与所述第二端表面的一部分接触。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述发光元件还包括在与所述一个方向交叉的另一方向上的第三端表面和第四端表面,
所述第一接触电极与所述第三端表面部分地接触,并且
所述第二接触电极与所述第四端表面部分地接触。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,
所述发光元件包括第一半导体层、第二半导体层以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层,并且
所述发光元件包括第一发光元件和第二发光元件,所述第一发光元件设置为使得所述活性层的一个表面面对所述第一方向,所述第二发光元件设置为使得所述活性层的一个表面面对所述第二方向。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,在所述第一发光元件中,所述第一半导体层的下表面包括与所述第二接触电极接触的所述第二端表面。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,在所述第二发光元件中,所述第一半导体层的下表面包括与所述第二接触电极接触的所述第四端表面。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述发光元件中,对在所述第一方向上测量的第一长度和在所述第二方向上测量的第二长度进行限定,并且
所述第一接触电极与所述第二接触电极之间的分离距离满足下面的等式1,
[等式1]
DC≤LDsinθc+HDcosθc-2LCDsinθc
其中,“DC”指所述第一接触电极与所述第二接触电极之间的分离距离,“LD”指所述发光元件的所述第一长度,“HD”指所述发光元件的所述第二长度,“LCD”指其中所述发光元件的一个端表面与所述接触电极接触的接触区域的长度,“θc”指所述接触电极的延伸方向与所述电极的延伸方向之间的第一倾斜角。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述发光元件的所述第二长度比所述第一电极与所述第二电极之间的分离距离大。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,在所述发光元件中,所述第一长度等于所述第二长度。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极中的每个的宽度至少比通过将所述接触区域的所述长度除以所述第一倾斜角的正弦值而获得的值大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的