[发明专利]采用增材制造进行半导体设备模块加工在审
申请号: | 202080074441.X | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN114631166A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 塞耶达利雷萨·托尔巴蒂萨拉夫;库尔特·艾伦·克恩;丹尼斯·史密斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 制造 进行 半导体设备 模块 加工 | ||
1.一种制造用于半导体制造系统的喷头的方法,该方法包括:
在由第一材料制成的面板上钻出第一孔,所述第一孔具有第一直径;
用第二材料包覆所述第一孔和所述面板,以用所述第二材料覆盖所述第一孔和所述面板;
钻出与所述第一孔同心的第二孔,得到具有涂有所述第二材料的孔的部件,所述第二孔具有小于所述第一直径的第二直径;以及
利用所述部件制造所述喷头,其中气体能穿过所述面板的所述第二孔输送。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二直径是所述第一直径的一半。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一材料为铝含量小于98.9质量百分比的铝合金,并且所述第二材料为纯铝或铝含量至少为99质量百分比的铝合金。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二材料是镍。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二材料是钽。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一材料和所述第二材料选自包括金属和金属合金的群组,其中所述第一材料不同于所述第二材料。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二材料是奥氏体镍-铬-钼-钨合金。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述面板是扁平的。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述面板是弯曲的。
10.根据权利要求1所述的方法,其中包覆所述第一孔包括:
在所述第一孔上应用固态增材制造以用所述第二材料填充所述第一孔至预定深度。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述固态增材制造技术包括摩擦搅拌焊接增材制造,所述摩擦搅拌焊接增材制造利用旋转头向所述面板的所述第一材料施加压力,从而导致所述第一材料塑化而不达到所述第一种材料的熔点。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,当在所述半导体制造工艺中操作时,所述第二材料比所述第一材料具有更长的寿命,其中,所述第二材料通过覆盖所述第一材料以避免在所述半导体制造工艺期间暴露于室中的反应而避免污染。
13.一种用于制造用于半导体制造系统的喷头的系统,该系统包括:
固态增材制造设备;
包含指令的存储器;以及
一个或多个计算机处理器,其中所述指令在由所述一个或多个计算机处理器执行时使所述系统执行操作,所述操作包括:
用第二材料包覆由第一材料制成的面板,所述面板具有第一直径的第一孔,所述包覆用所述第二材料覆盖所述第一孔和所述面板,其中所述喷头通过钻出与所述第一孔同心的第二孔来制造,导致所述喷头具有涂覆有所述第二材料的所述第一孔,所述第二孔具有小于所述第一直径的第二直径。
14.根据权利要求13所述的系统,其中,所述第二直径是所述第一直径的一半。
15.根据权利要求13所述的系统,其中,所述第一材料为铝含量小于98.9质量百分比的铝合金,并且所述第二材料为纯铝或铝含量至少为99质量百分比的铝合金。
16.根据权利要求13所述的系统,其中,所述第二材料是镍。
17.根据权利要求13所述的系统,其中,所述第二材料是钽。
18.根据权利要求13所述的系统,其中,所述第二材料是奥氏体镍-铬-钼-钨合金。
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