[发明专利]LED显示装置在审
| 申请号： | 202080073655.5 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN114616673A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 崔财溶;李承峻 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L27/12;H01L33/60;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 马芸莎;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 显示装置 | ||
1.一种LED显示装置，所述LED显示装置包括：
基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
第一LED，所述第一LED电联接至所述第一薄膜晶体管；
第二LED，所述第二LED电联接至所述第二薄膜晶体管；
所述第一LED上的子LED，所述子LED电联接至所述第一薄膜晶体管，并包括向与所述第一LED相反的方向反射光的反射层，
其中，当向所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管施加信号时，所述第二LED和所述子LED发光。
2.根据权利要求1所述的LED显示装置，其中，所述第一LED包括通过第一连接电极电联接到所述薄膜晶体管的漏极的第一n型电极，以及通过第二连接电极电联接到公共线的第一p型电极，并且
其中，所述子LED包括电联接至所述第一连接电极的第二n型电极和电联接至所述第二连接电极的第二p型电极。
3.根据权利要求2所述的LED显示装置，所述LED显示装置还包括在所述第一n型电极和所述第一p型电极之间的第一-第一半导体层和第一-第二半导体层以及第一有源层，以及在所述第二n型电极和所述第二p型电极之间的第二-第一半导体层和第二-第二半导体层以及第二有源层。
4.根据权利要求3所述的LED显示装置，其中，所述反射层设置在所述第二-第二半导体层和所述第二p型电极之间。
5.根据权利要求3所述的LED显示装置，其中，所述反射层设置在所述第二-第一半导体层和所述第二n型电极之间。
6.根据权利要求2所述的LED显示装置，其中，所述第二p型电极通过第三连接电极电联接到所述第二连接电极。
7.根据权利要求2所述的LED显示装置，其中，所述第二p型电极电联接到从所述第二连接电极延伸的辅助电极。
8.根据权利要求7所述的LED显示装置，其中，所述第一LED的所述第一n型电极和所述第一p型电极沿第一方向设置；并且
其中，所述子LED的所述第二n型电极和所述第二p型电极沿所述第一方向设置。
9.根据权利要求7所述的LED显示装置，其中，所述第一LED的所述第一n型电极和所述第一p型电极沿第一方向设置；
其中，所述子LED的所述第二n型电极和所述第二p型电极沿与所述第一方向不同的第二方向设置。
10.根据权利要求2所述的LED显示装置，所述LED显示装置还包括在所述第一连接电极和所述第二n型电极之间的第一凸块，以及在所述第二连接电极和所述第二p型电极之间的第二凸块。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
