[发明专利]铜粉体及其制造方法

说明书

铜粉体的平均粒径D₅₀为100nm以上且500nm以下，烧结起始温度为450℃以上，脱气的尖峰温度为150℃以上且300℃以下。此铜粉体在600℃以上且950℃以下的温度范围内脱离的气体的量(W₁)相对于在60℃以上且950℃以下的温度范围内脱离的气体的总量(W₀)之比(W₁/W₀)可以为0.6重量％以下。此铜粉体的平均微晶径(D)相对于平均粒径(D₅₀)的比D/D₅₀可以为0.10以上且0.50以下。

技术领域

本发明的实施方式之一涉及铜粉体和铜粉体的制造方法。

背景技术

作为微细金属粒子集合体的金属粉体或包含金属粉体的糊剂，已作为用于制造低温共烧陶瓷(LTCC)基板的布线或端子、多层陶瓷电容器(MLCC)的内部电极或外部电极等各种电子零件的原材料而被广泛利用。尤其是铜粉体，因铜的高导电性而能够使MLCC的内部电极薄膜化或使外部电极小型化，能够显著地改善频率特性，因此，有望作为替代以往大量使用的镍粉体或银粉体的材料(参见专利文献1至5)。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1:日本特开2015-36439号公报

专利文献2:国际公开2015/137015号

专利文献3:日本特开2018-076597号公报

专利文献4:日本特开2016-108649号公报

专利文献5:日本特开2004-211108号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的实施方式之一以提供铜粉体及其制造方法作为课题之一。举例而言，本发明的实施方式之一以提供具有高烧结起始温度并且在烧结时的脱气行为受控的铜粉体及其制造方法作为课题之一。

解决问题所采用的措施

根据本发明的实施方式之一为铜粉体。此铜粉体的平均粒径D₅₀为100nm以上且500nm以下，烧结起始温度为450℃以上，脱气尖峰温度为150℃以上且300℃以下。

根据本发明的实施方式之一为铜粉体的制造方法。此制造方法包括：通过金属铜与含氯气体反应生成氯化铜气体，通过氯化铜气体与还原性气体的反应生成包含铜的一次粉末，以及利用含氮杂芳族化合物处理一次粉末。

发明的效果

根据本发明的实施方式之一的铜粉体不仅表现出高的烧结起始温度，而且在烧结时脱离的气体很少。因此，本铜粉体能够通过烧结提供具有明确定义的结构的铜膜，并且能够有助于MLCC等各种功能性元件的薄膜化或小型化，以及电子零件的布线或端子的微细化等。

附图说明

图1是根据本发明的实施方式之一的用于制造铜粉体的流程。

具体实施方式

以下，参照附图等对本发明的各实施方式逐一进行说明。本发明在不脱离其要旨的范围内可以以各种方式实施，不应解释为限定于以下例示的实施方式或实施例的记载内容。虽然为了更清楚地描述，与实际实施例相比，附图可以示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但仅是示例，并不限制对本发明的解释。

1.铜粉体的制造方法