[发明专利]具有增益提升的放大器

权利要求书

1.一种放大器，包括：

第一晶体管，包括栅极、漏极和源极，其中所述第一晶体管的所述栅极被耦合到所述放大器的第一输入部；

第二晶体管，包括栅极、漏极和源极，其中所述第二晶体管的所述栅极被耦合到所述放大器的第二输入部；

第一信号路径，耦合在所述放大器的所述第一输入部与所述第二晶体管的所述源极之间；

第二信号路径，耦合在所述放大器的所述第二输入部与所述第一晶体管的所述源极之间；

第一负载，耦合到所述第一晶体管的所述漏极；以及

第二负载，耦合到所述第二晶体管的所述漏极。

2.根据权利要求1所述的放大器，还包括：

电阻器，耦合在所述第一晶体管的所述源极与所述第二晶体管的所述源极之间；以及

电容器，耦合在所述第一晶体管的所述源极与所述第二晶体管的所述源极之间。

3.根据权利要求1所述的放大器，其中所述第一信号路径包括第一电容器，并且所述第二信号路径包括第二电容器。

4.根据权利要求3所述的放大器，还包括：第一偏置电流源，耦合到所述第一晶体管的所述源极；以及第二偏置电流源，耦合到所述第二晶体管的所述源极。

5.根据权利要求3所述的放大器，还包括：

阻感电路，耦合在所述第一晶体管的所述源极与所述第二晶体管的所述源极之间，所述阻感电路包括：

电阻器；

第一电感器；和

第二电感器，其中所述第一电感器和所述第二电感器与所述电阻器串联地耦合；以及

电容器，耦合在所述第一晶体管的所述源极与所述第二晶体管的所述源极之间。

6.根据权利要求3所述的放大器，其中所述第一信号路径还包括与所述第一电容器串联耦合的第一电阻器，并且所述第二信号路径还包括与所述第二电容器串联耦合的第二电阻器。

7.根据权利要求6所述的放大器，还包括：

第一阻抗匹配电路，耦合到所述第一电阻器，所述第一阻抗匹配电路包括：

第三电阻器；和

第一电感器，与所述第三电阻器串联耦合；以及

第二阻抗匹配电路，耦合到所述第二电阻器，所述第二阻抗匹配电路包括：

第四电阻器；和

第二电感器，与所述第四电阻器串联耦合。

8.根据权利要求1所述的放大器，还包括：

第一阻抗匹配电路，耦合到所述放大器的所述第一输入部，所述第一阻抗匹配电路包括：

第一电阻器；和

第一电感器，与所述第一电阻器串联耦合；以及

第二阻抗匹配电路，耦合到所述放大器的所述第二输入部，所述第二阻抗匹配电路包括：

第二电阻器；和

第二电感器，与所述第二电阻器串联耦合。

9.根据权利要求1所述的放大器，其中所述第一负载包括第一负载电阻器，并且所述第二负载包括第二负载电阻器。

10.根据权利要求9所述的放大器，其中所述第一负载还包括与所述第一负载电阻器串联耦合的第一负载电感器，并且所述第二负载还包括与所述第二负载电阻器串联耦合的第二负载电感器。

11.根据权利要求10所述的放大器，其中所述第一负载被耦合在所述第一晶体管的所述漏极与接地之间，并且所述第二负载被耦合在所述第二晶体管的所述漏极与所述接地之间。

12.根据权利要求1所述的放大器，其中所述第一晶体管包括第一p型场效应晶体管(PFET)，并且所述第二晶体管包括第二PFET。

13.根据权利要求12所述的放大器，其中所述第一负载被耦合在所述第一晶体管的所述漏极与接地之间，并且所述第二负载被耦合在所述第二晶体管的所述漏极与所述接地之间。