[发明专利]包含预热喷头的低温等离子体增强化学气相沉积处理

权利要求书

1.一种等离子体增强化学气相沉积处理方法，其包含：

在衬底的等离子体增强化学气相沉积处理之前以及对所述处理的准备中，将喷头预热至预热状态；

在预热所述喷头的同时，确定所述喷头的至少一个温度；

基于所述至少一个温度，确定是否继续预热所述喷头；

响应于所述至少一个温度满足温度标准，停止预热所述喷头；以及

当所述喷头处于所述预热状态时，启动所述等离子体增强化学气相沉积处理以将设置在所述衬底上的先前制造的集成电路封装，其中所述等离子体增强化学气相沉积处理包含：在所述集成电路上方形成一层或更多层膜保护层。

2.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其还包含将所述等离子体增强化学气相沉积处理限制为温度低于或等于200℃。

3.根据权利要求1所述所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其还包含在执行所述等离子体增强化学气相沉积处理之前，当预热所述喷头时，将所述喷头的温度限制为介于50-200℃之间。

4.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其还包含在预热所述喷头之后并且在启动所述等离子体增强化学气相沉积处理之前，排空处理室，

其中所述喷头被设置在所述处理室内。

5.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其中所述喷头的所述预热包含：

将反应物气体供给至处理室；以及

将射频功率供给至设置在衬底支撑件中的第一电极或者设置在所述喷头中的第二电极中的至少一者，以产生等离子体，其中所述喷头设置在所述处理室中。

6.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其中所述喷头的所述预热包含供给电流至在所述喷头中的至少一个加热元件。

7.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其中所述喷头的所述预热包含将被供给至所述喷头的流体加热。

8.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其还包含：

在执行一系列的多个等离子体增强化学气相沉积处理之前，预热所述喷头；以及

避免在所述等离子体增强化学气相沉积处理中的连续的处理之间与同时将所述喷头预热，或

在所述等离子体增强化学气相沉积处理中的二者之间预热所述喷头。

9.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其中：

所述衬底被设置在衬底支撑件上；

所述衬底支撑件包含第一电极；

所述喷头包含第二电极；以及

所述等离子体增强化学气相沉积处理包含提供射频功率至所述第一电极和所述第二电极中的至少一者。

10.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其还包含：

基于所述至少一个温度停止所述喷头的预热；以及

在停止所述喷头的预热之后以及在所述等离子体增强化学气相沉积处理之前，排空所述处理室。

11.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其还包含：

响应于所述至少一个温度低于或等于预定温度，继续预热所述喷头；以及

响应于所述至少一个温度大于所述预定温度，停止预热所述喷头。

12.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积处理方法，其还包含：

在执行一系列的多个等离子体增强化学气相沉积处理之前，预热所述喷头；以及

避免在所述等离子体增强化学气相沉积处理中的连续的处理的同时与之间将所述喷头预热。