[发明专利]一种透明光伏器件及其制造方法在审
| 申请号: | 202080059901.1 | 申请日: | 2020-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN114303244A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
| 发明(设计)人: | 维韦克·巴布;大卫·福加奇 | 申请(专利权)人: | 索勒·斯波克·阿克西纳 |
| 主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 广东南越商专知识产权代理有限公司 44809 | 代理人: | 田孝谦;许春兰 |
| 地址: | 波兰华沙波斯特普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 透明 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种透明光伏(PV)器件,包括半透明基板(120)和至少一个透明光伏(PV)电池(100),所述PV电池(100)包括设置在所述基板(120)上的叠层(110),所述叠层(110)包括:
-正面电极层(112);
-背面电极层(113),;
-钙钛矿光活性层(111),位于所述阳极层与所述阴极层之间,
其特征在于,
所述背面电极层(113)包括碳,
其中所述叠层(110)包括激光制造的透光孔(130),所述激光制造的透光孔(130)至少延伸穿过所述单个PV电池的所述背面电极层(113)和所述钙钛矿光活性层(111),其中所述透光孔(130)被促进功率转换的所述叠层(110)完全包围,使得所述单个PV电池的所述叠层(110)是电连续的。
2.根据权利要求1所述的透明PV器件,其中所述叠层(110)还包括正面电荷传输层(112a)和背面电荷传输层(113a),所述正面电荷传输层(112a)设置在所述钙钛矿层(111)与所述正面电极层(112)之间,所述背面电荷传输层(113a)设置在所述钙钛矿层(111)与所述碳背面电极层(113)之间。
3.根据权利要求2所述的透明PV器件,还包括正面钝化层(112b)和/或背面钝化层(113b),所述正面钝化层(112b)设置在所述钙钛矿层(111)与所述正面电荷传输层(112a)之间,所述背面钝化层(113b)设置在所述钙钛矿层(111)与所述背面电荷传输层(113a)之间。
4.根据权利要求2或3所述的透明PV器件,其中所述背面电极层(113)具有10纳米至1000微米的厚度。
5.根据上述权利要求中任一项所述的透明PV器件,包括多个透明PV电池(100),每个所述透明PV电池(100)包括多个所述激光制造的透光孔(130),所述透光孔(130)具有1μm2至1000cm2的面积,并且两个相邻透光孔(130)之间的间距为1μm至100cm。
6.根据上述权利要求中任一项所述的透明PV器件,具有n-i-p结构的PV电池。
7.根据权利要求6所述的透明PV器件,所述PV电池(100)的所述叠层(110)采用以下构型:AZO/SnO2/钙钛矿/PTAA/碳。
8.一种用于制造包括至少一个透明光伏(PV)电池(100)的透明光伏(PV)器件的方法,所述方法包括以下步骤:
-提供半透明基板(120);
-在所述基板上形成所述PV电池(100)的叠层(110),所述叠层包括:正面电极层(112);背面电极层(113);钙钛矿光活性层(111),位于所述正面电极层(112)与所述位于背面电极层(113)之间,
其特征在于,
-形成所述PV电池(100)的所述叠层(110)的所述步骤包括由碳糊形成所述背面电极层(113),
-其中所述方法还包括在所述PV电池(100)的所述叠层(100)中对透光孔(130)进行激光图案化(P4)的步骤,其中所述孔(130)至少延伸穿过所述碳背面电极层(113)和所述钙钛矿光活性层(111)的至少一部分,并且被促进所述功率转换的所述叠层(110)完全包围。
9.根据权利要求8所述的方法,其中每个透光孔(130)在一步式激光处理(P4)中形成。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其中所述透光孔(130)通过使用纳秒IR激光形成。
11.根据权利要求8至9中任一项所述的方法,其中多个所述透光孔(130)在每个PV电池(100)的所述叠层(110)中形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索勒·斯波克·阿克西纳,未经索勒·斯波克·阿克西纳许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





