[发明专利]超声波传感器阵列

权利要求书

1.一种超声波传感器阵列，包括：

多个超声波换能器，每个换能器包括压电构件，其中：

所述换能器中的每一个包括驻极体构件；

所述换能器中的每一个包括被配置为呈现第一d33谐振模式系数的接收(Rx)层和被配置为呈现第二d33谐振模式系数的发射(Tx)层，所述第一系数不同于所述第二系数；以及

所述换能器设置在柔性衬底上。

2.根据权利要求1所述的超声波传感器阵列，其中所述阵列包括特征(a)、特征(b)和特征(c)中的每一个。

3.根据权利要求1所述的超声波传感器阵列，其中所述驻极体构件由含氟聚合物构成。

4.根据权利要求1所述的超声波传感器阵列，其中所述Tx层包括所述压电构件以及所述Rx层包括所述驻极体构件。

5.根据权利要求1所述的超声波传感器阵列，其中所述第一d33谐振模式系数相对于所述第二d33谐振模式系数具有相反的符号。

6.根据权利要求1所述的超声波传感器阵列，其中所述阵列还包括柔性电子层，所述驻极体构件被配置为柔性的。

7.根据权利要求6所述的超声波传感器阵列，其中所述柔性电子层是柔性有机发光二极管显示器。

8.根据权利要求1所述的超声波传感器阵列，其中所述压电构件由铁电体形成。

9.根据权利要求1所述的超声波传感器阵列，其中所述压电构件由共聚物形成。

10.根据权利要求1所述的超声波传感器阵列，其中多个换能器中的至少一些被串联电连接。

11.根据权利要求1所述的超声波传感器阵列，其中所述阵列具有10平方英寸或更大的表面积。

12.一种形成超声波换能器的方法，所述方法包括：

形成接收(Rx)层；

形成发射(Tx)层；以及

将所述Rx层与所述Tx层耦合；其中：

所述超声波换能器设置在柔性衬底上并且包括驻极体构件；以及

所述Rx层被配置为呈现第一d33谐振模式系数以及所述Tx层被配置为呈现第二d33谐振模式系数，所述第一系数不同于所述第二系数。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述驻极体构件由含氟聚合物构成。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述Tx层包括压电构件。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述压电构件由铁电体形成。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述压电构件由共聚物形成。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一d33系数相对于所述第二d33系数具有相反的符号。

18.一种超声波传感器阵列，包括：

多个超声波换能器，每个换能器包括驻极体构件，其中：

所述换能器中的每一个包括压电构件；

所述换能器中的每一个包括被配置为呈现第一d33谐振模式系数的接收(Rx)层和被配置为呈现第二d33谐振模式系数的发射(Tx)层，所述第一系数不同于所述第二系数；以及

所述换能器设置在柔性衬底上。

19.根据权利要求18所述的超声波传感器阵列，其中所述驻极体构件被配置为声学换能器。