[发明专利]多区段式基座的温度控制

权利要求书

1.一种处理半导体衬底的系统，其包含：

衬底支撑件组件，其被配置成支撑所述半导体衬底，所述衬底支撑件组件包含：

M个电阻加热器，其被分别设置于所述衬底支撑件组件的层中的M个区段中，所述层邻近于所述半导体衬底，其中M为大于1的整数；以及

N个温度传感器，其被设置于所述层中的N个位置处，其中N为大于1且小于或等于M的整数；以及

控制器，其被配置成基于由所述N个温度传感器中的一者所感测的温度和所述M个区段中的一或多者的平均温度而控制所述M个电阻加热器中的一或多者。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述M个区段包含：

第一圆形区段，其位于所述层的中心区域处；

第二环形区段，其围绕所述第一圆形区段；

第一组区段，其位于围绕所述第二环形区段的第一环形区域中；以及

第二组区段，其位于围绕所述第一环形区域的第二环形区域中。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一组区段相对于所述第二组区段旋转一定角度。

4.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一组区段相对于所述第二组区段旋转四十五度的角度。

5.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一和第二环形区域具有不同的宽度。

6.根据权利要求2所述的系统，其中所述第二环形区段具有与所述第一和第二环形区域中的每一者不同的宽度。

7.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一和第二组区段中的每一者包含四个区段。

8.根据权利要求2所述的系统，其中所述N个温度传感器包含：

第一温度传感器，其位于所述第一圆形区段内；

第一对温度传感器，其沿着所述层的第一直径而位于所述第二环形区段与所述第一组区段之间的第一边界处；以及

第二对温度传感器，其沿着所述层的第二直径而位于所述第一组区段与所述第二组区段之间的第二边界处，

其中所述第一温度传感器位于所述第一与第二直径的交点处。

9.根据权利要求8所述的系统，其中：

所述第一和第二对温度传感器的位置对应于平行四边形的顶点；并且

所述第一和第二直径形成所述平行四边形的对角线。

10.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置成独立于所述M个电阻加热器中的其他电阻加热器而控制所述M个电阻加热器中的一个电阻加热器。

11.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置成基于所述半导体衬底的目标温度轮廓而控制所述M个电阻加热器中的一或多者。

12.一种用于支撑半导体衬底的衬底支撑件组件，所述衬底支撑件组件包含：

基板，其包含邻近于所述半导体衬底的一层；

M个电阻加热器，其分别设置于所述层中的M个区段中，其中M为大于1的整数，且其中所述M个区段包含：

第一圆形区段，其位于所述层的中心区域处；

第二环形区段，其围绕所述第一圆形区段；

第一组区段，其位于围绕所述第二环形区段的第一环形区域中；以及

第二组区段，其位于围绕所述第一环形区域的第二环形区域中；以及

N个温度传感器，其被设置于所述层中的N个位置处，其中N为大于1且小于或等于M的整数，且其中所述N个温度传感器包含：

第一对温度传感器，其沿着所述层的第一直径而位于所述第二环形区段与所述第一组区段之间的第一边界处；

第二对温度传感器，其沿着所述层的第二直径而位于所述第一组区段与所述第二组区段之间的第二边界处；以及

第一温度传感器，其位于所述第一圆形区段中且在所述第一与第二直径的交点处。