[发明专利]钨沉积

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在室中提供包括特征的衬底；

通过执行原子层沉积(ALD)处理的一个或多个循环在所述特征中沉积钨成核层，其中每个循环包括：

使一种或多种含硼还原剂配料在所述室中流动，

使一种或多种含硅还原剂配料在所述室中流动，其中所述一种或多种含硼还原剂配料和所述一种或多种含硅还原剂配料是连续的反应物配料，以及

在使所述一种或多种含硼还原剂配料和所述一种或多种含硅还原剂配料在所述室中流动之后，使一种或多种含钨前体脉冲在所述室中流动。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征是3-D NAND结构中的字线(WL)特征，所述3-D NAND结构包括竖直取向的侧壁，所述侧壁中的多个开口通向多个水平取向的WL特征。

3.根据权利要求1所述的方法，其还包括在连续的反应物配料之间清扫所述室。

4.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述钨成核层上沉积主体钨层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述主体钨层使用氢气(H₂)作为还原剂通过原子层沉积处理来沉积。

6.根据权利要求1所述的方法，其中每个循环以含硼还原剂配料开始。

7.根据权利要求1所述的方法，其中每个循环以含硅还原剂配料开始。

8.一种方法，其包括：

提供包括竖直取向的侧壁的3-D NAND结构，所述侧壁中的多个开口通向所述室中的多个水平取向的字线(WL)特征；

通过执行原子层沉积(ALD)处理的一个或多个循环在所述WL特征中沉积钨成核层，其中每个循环包括：

使一种或多种含硼还原剂配料在所述室中流动，

使一种或多种硅烷配料在所述室中流动；以及

在使所述一种或多种含硼还原剂配料和所述一种或多种含硅还原剂配料在所述室中流动之后，使一种或多种含钨前体脉冲在所述室中流动。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述一种或多种含硼还原剂配料和所述一种或多种含硅还原剂配料是连续的反应物配料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中每个循环以含硼还原剂配料开始。

11.根据权利要求9所述的方法，其中每个循环以含硅还原剂配料开始。

12.根据权利要求8所述的方法，其中含硼还原剂配料与含硅还原剂配料共流。

13.根据权利要求8所述的方法，其还包括在连续的反应物配料之间清扫所述室。

14.根据权利要求8所述的方法，其还包括在所述钨成核层上沉积主体钨层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述主体钨层使用氢气(H₂)作为还原剂通过原子层沉积处理来沉积。

16.一种装置，其包括：

(a)包括一个或多个处理站的处理室，每个处理站包括被配置为保持衬底的衬底支撑件；

(b)用于耦合至真空的至少一个出口；

(c)与一个或多个处理气体源耦合的一个或多个处理气体入口；以及

(d)用于控制所述装置中的操作的控制器，其包括机器可读指令，所述机器可读指令用于：

使一种或多种含硼还原剂配料在所述处理室中流动，

使一种或多种含硅还原剂配料在所述处理室中流动；以及

在使所述一种或多种含硼还原剂配料和所述一种或多种含硅还原剂配料在所述室中流动之后，使一种或多种含钨前体脉冲在所述处理室中流动。

17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述处理气体源包括进料体积。