[发明专利]检查射频器件的方法以及射频器件

说明书

本发明涉及一种检查射频器件（1）的方法，所述方法允许通过改变导电元件（13）旁边或附近的可调介电材料（4）的介电材料性质来修改射频信号沿着导电元件（13）的传输和/或操控，所述方法包括以下步骤：在传递通过可调介电材料（4）之前以入射光强度和/或以已知入射相位将光束（12）通过第一基板层（2）的光学透明区域部分发射到可调介电材料（4）的测试体积中；经由被布置在第一基板层（2）的光学透明区域部分处的第一透明测试电极（6）、以及与第一测试电极相对地布置在第二基板层（3）处的第二测试电极（8）将偏置场应用到测试体积；取决于所述偏置场在传递通过可调介电材料（4）之后测量所述光束（12）的出射光强度和/或出射相位；以及根据所述偏置场基于出射光强度和入射光强度的商和/或基于所述光束（12）的入射相位与出射相位之间的相位关系来确定可调介电材料（4）的至少一个特性性质。

技术领域

本发明涉及一种检查射频器件的方法，该射频器件具有绝缘的第一基板层、绝缘的第二基板层、被布置在第一基板层与第二基板层之间的可调介电材料、以及传输射频信号的导电元件，其中导电元件被布置在第一和/或第二基板层处或附近，并且其中可以通过改变导电元件旁边或附近的可调介电材料的介电材料性质来修改射频信号沿着导电元件的传输，由此所述方法包括确定可调介电材料的至少一个特性性质的步骤，该至少一个特性性质取决于应用到可调介电材料的偏置场。

在包括邻近导电元件或在导电元件附近的可调介电材料的射频器件中，可以通过调整可调介电材料的介电材料性质来修改沿着导电元件传播的射频信号的传输特性。射频包括至少30kHz至300GHz的频率范围。虽然用于制造该射频器件的块体形式的可调介电材料的介电材料性质可能是已知的，但是该射频器件中包括的可调介电材料的介电材料性质通常受制于生产相关的波动。因此，基于获取该射频器件的可调介电材料的介电材料性质而进行的检查变得必要。

通常，可调介电材料的介电材料性质是利用电子测试装备来测量的，该射频器件必须与该电子测试装备导电连接。对可以用作可调介电材料的向列的液晶的介电性质的测量被描述于例如以下文献中：Senad Bulja等人的“Measurement of DielectricProperties of Nematic Liquid Crystals at Millimeter Wavelength”，IEEETransactions on Microwave Theory and Techniques，Plenum，USA，vol. 58，no. 12，2010年12月1日，3493-3501页；或Yozo Utsumi等人的“Dielectric Properties ofMicrostrip-Line Adaptive Liquid Crystal Devices”，Electronics Communicationsin Japan Part II – Electronics，Wiley，Hoboken，NJ，US，vol. 87，no. 10，2004年1月1日，13-24页；或Fréderic Guérin等人的“Modeling，Synthesis and Characterization ofa Millimeter-Wave Multilayer Microstrip Liquid Crystal Phase Shifter”，Japanese Journal of Applied Physics，Japan Society of Applied Physics，JP，vol.36，no. 7A，Part 01，1997年7月1日，4409-4413页。尤其是在具有多个导电元件（每个要求单独的检查）的射频器件的情况下，该检查可能非常耗时且昂贵。

因此，存在对提供检查射频器件的更快速的方法的需要。

发明内容

本发明涉及一种检查上面描述的射频器件的方法，其中在以下步骤中，根据可调介电材料的光学材料性质的光学测量来确定可调介电材料的至少一个特性性质：

a）在传递通过可调介电材料之前以入射光强度和/或以已知入射相位将光束通过第一基板层的光学透明区域部分发射到可调介电材料的测试体积中，