[发明专利]半导体激光驱动装置、电子设备和制造半导体激光驱动装置的方法在审

专利信息
申请号: 202080053135.8 申请日: 2020-06-08
公开(公告)号: CN114175424A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 安川浩永;加治伸晓 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01S5/0232 分类号: H01S5/0232;H01S5/02335;H01S5/02345;H01S5/0237;H01S5/024
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 激光 驱动 装置 电子设备 制造 方法
【说明书】:

提供了一种半导体激光驱动装置,尽管结构简单,但其散热特性得到改善。半导体激光驱动装置设置有衬底、激光驱动器和半导体激光器。衬底包含激光驱动器。半导体激光器安装在衬底的一侧上。连接布线以不超过0.5纳亨的布线电感电连接激光驱动器和半导体激光器。侧壁在安装有半导体激光器的衬底表面上包围包括半导体激光器的区域。侧壁具有内部储热材料。

技术领域

本技术涉及一种半导体激光驱动设备。具体而言,本技术涉及一种半导体激光驱动设备和一种电子装备以及一种半导体激光驱动设备的制造方法,电子装备包括包含激光驱动器的衬底和半导体激光器。

背景技术

半导体激光器的一个基本特性是激光相对于注入电流的输出特性,这通常被称为半导体激光器的I-L特性。当超过激光器开始发光的阈值电流lth(振荡开始电流)时,激光器开始振荡,并且光输出随着所施加的电流快速且线性地增加。在实践中,最好使阈值电流更小。另外,光输出的增加ΔL与电流的增加ΔI的比值(倾斜度)称为微分量子效率ηp[mW/mA],表示电流增加时光强的增加程度。倾斜度越大,特性越好。半导体激光器容易受到温度上升的影响,并且可以确认由增加的阈值电流引起的半导体激光器的劣化、由劣化的差分量子效率引起的输出下降等。作为这种半导体激光驱动设备的冷却机构,已知:空气冷却型,其中,半导体激光驱动设备中产生的热量由空气辐射;或者通过连接到循环冷却水供应设备(冷却器)等而使用的水冷型。

例如,提出了一种激光驱动设备,包括:半导体激光器热辐射构件,用于辐射从半导体激光器阵列产生的热量;光纤激光器热辐射构件,用于辐射从用于光纤激光器的光纤产生的热量;冷却风扇,用于吹送冷却空气;以及引导构件,用于引导从冷却风扇吹出的冷却空气(参见例如专利文献1)。此外,提出了一种电子装备冷却结构,具有:散热器,该散热器具有弯曲成L形的热管、附接到热管的基本水平部分的多个散热片、以及附接到多个热管的基本垂直部分的热接收板;附接到热接收板的多件电子装备;以及用于存储多件电子装备的存储容器(例如,参考专利文献2)。此外,提出了一种薄散热器,包括多个薄板状主体,所述薄板状主体包括用于存储离心式风扇的空腔部分,以预定间隔层叠,并且包括空气引导部分;至少一个散热片部分,连接到每个薄板状主体的一端,并且被引导到薄板状主体的空气引导部分的空气穿过该散热片部分;以及至少一个热管,该热管的一端热连接到薄板状主体的与加热组件热连接的部分,该热管的另一端热连接到散热片部分,并且该热管的至少一部分布置有薄板状主体之间的空间部分(参见例如专利文献3)。

[引用列表]

[专利文献]

[专利文献1]

日本专利公开号2008-021899

[专利文献2]

日本专利公开号2012-059952

[专利文献3]

日本专利公开号2009-239166

发明内容

[技术问题]

然而,在相关技术的这些技术中,存在一个问题,即通过安装冷却风扇、散热器或热管来增加半导体激光驱动设备的尺寸。

鉴于这种情况,已经开发了本技术,并且其目的是以简单的结构获取优异的热辐射特性。

[问题的解决方案]

为了解决上述问题,提出本技术,其第一方面是提供:一种半导体激光驱动设备,包括:衬底,所述衬底包含激光驱动器;半导体激光器,所述半导体激光器安装在衬底的一个表面上;连接布线,所述连接布线以0.5纳亨或更小的布线电感将激光驱动器和半导体激光器彼此电连接;以及侧壁,在所述侧壁中具有储热材料,同时在衬底的一个表面上包围包括半导体激光器的区域;以及一种包括半导体激光驱动设备的电子装备。这导致促进半导体激光驱动设备的热辐射的效果,该半导体激光驱动设备以0.5纳亨或更小的布线电感将激光驱动器和半导体激光器彼此电连接。

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