[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括：

准备层叠基板，该层叠基板包括被分割为多个芯片的第一基板、按每个所述芯片完成分割且用于保护所述芯片的保护膜、用于支承所述第一基板的第二基板、以及将所述保护膜与所述第二基板粘接的粘接膜；

利用透过所述第二基板的光线来使所述粘接膜的粘接力下降；以及

利用拾取部从所述粘接膜拾取与所述粘接膜之间的粘接力下降后的所述保护膜和所述芯片。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

还包括：在由所述拾取部保持所述芯片的状态下，将所述保护膜浸渍到用于溶解所述保护膜的液体中，来去除所述保护膜。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，还包括：

在由所述拾取部保持所述芯片的状态下，将所述芯片的去除所述保护膜后的表面活性化；

在由所述拾取部保持所述芯片的状态下，使所述芯片的活性化后的表面与第三基板的形成有器件的主表面面对面地接合。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，还包括：

在所述第一基板的第一主表面形成所述保护膜；

在形成所述保护膜后，利用所述粘接膜将所述保护膜与所述第二基板粘接；

在粘接所述保护膜与所述第二基板后，以使所述第一基板的与所述第一主表面相反朝向的第二主表面靠近所述第一主表面的方式去除所述第一基板的一部分，从而将所述第一基板薄化。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，还包括：

在形成所述保护膜后且粘接所述保护膜与所述第二基板前，在所述保护膜的表面的分割预定线处形成比所述芯片的器件更深的第一槽；以及

在薄化所述第一基板后且拾取所述芯片前，形成在所述第一基板的所述第二主表面的分割预定线处具有开口部的掩模，通过所述掩模的所述开口部对所述第二主表面进行蚀刻，来形成与所述第一槽相连的第二槽，从而将所述第一基板分割为多个所述芯片。

6.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，还包括：

在形成所述保护膜后且粘接所述保护膜与所述第二基板前，在所述保护膜的表面的分割预定线处形成到达薄化后的所述第一基板的所述第二主表面的深度的槽；

在粘接所述保护膜与所述第二基板后，通过薄化所述第一基板来使所述第一基板的所述第二主表面露出所述槽，从而将所述第一基板分割为多个所述芯片；

在薄化所述第一基板后且拾取所述芯片前，清洗所述槽并且对所述槽的侧面进行蚀刻。

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，

在所述保护膜的表面的分割预定线处形成所述槽包括：利用激光光线形成比所述芯片的器件更深的一次槽，对所述一次槽的侧面进行蚀刻，接着，利用刀片切削所述一次槽的底面，从而形成到达薄化后的所述第一基板的所述第二主表面的深度的二次槽。

8.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，还包括：

在形成所述保护膜后且粘接所述保护膜与所述第二基板前，在所述保护膜的表面的分割预定线处形成比所述芯片的器件更深的第一槽；

在薄化所述第一基板后且拾取所述芯片前，利用刀片切削所述第一基板的所述第二主表面的分割预定线，来形成与所述第一槽相连的第二槽，从而将所述第一基板分割为多个所述芯片；以及

在薄化所述第一基板后且拾取所述芯片前，清洗所述第一槽和所述第二槽并且对所述第一槽和所述第二槽的侧面进行蚀刻。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，

还包括：在形成所述第一槽后且粘接所述保护膜与所述第二基板前，对所述第一槽的侧面进行蚀刻。