[发明专利]处理装置和处理方法

说明书

一种处理装置，对处理对象体进行处理，所述处理装置具备：改性部，其向所述处理对象体的内部照射激光，来沿面方向形成多个改性层；以及控制部，其至少控制所述改性部的动作，其中，所述控制部控制所述改性部，以形成周缘改性层、第一内部面改性层以及第二内部面改性层，所述周缘改性层成为将所述处理对象体的作为去除对象的周缘部剥离的基点，所述第一内部面改性层在所述周缘改性层的径向内侧形成为与所述周缘改性层呈同心圆的环状，所述第二内部面改性层在所述第一内部面改性层的径向内侧形成为螺旋状。

技术领域

本公开涉及一种处理装置和处理方法。

背景技术

在专利文献1中公开了一种在单晶基板形成内部改性层并以该内部改性层为基点将基板切断的方法。根据专利文献1，通过向基板的内部照射激光来使单晶结构变化为多晶结构，由此形成所述内部改性层。此外，在内部改性层中，使相邻的加工痕迹连结。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平2013-161820号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开所涉及的技术适当地进行处理对象体的周缘去除处理和分离处理。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式是一种处理装置，对处理对象体进行处理，所述处理装置具备：改性部，其向所述处理对象体的内部照射激光，来沿面方向形成多个改性层；以及控制部，其至少控制所述改性部的动作，其中，所述控制部控制所述改性部，以形成周缘改性层、第一内部面改性层以及第二内部面改性层，所述周缘改性层成为将所述处理对象体的作为去除对象的周缘部剥离的基点，所述第一内部面改性层在所述周缘改性层的径向内侧形成为与所述周缘改性层呈同心圆的环状，所述第二内部面改性层在所述第一内部面改性层的径向内侧形成为螺旋状。

发明的效果

根据本公开，能够适当地进行处理对象体的周缘去除处理和分离处理。

附图说明

图1是示意性地表示晶圆处理系统的结构例的概要的俯视图。

图2是表示重合晶圆的结构例的概要的侧视图。

图3是表示重合晶圆的一部分的结构例的概要的侧视图。

图4是表示改性装置的结构例的概要的俯视图。

图5是表示改性装置的结构例的概要的侧视图。

图6是表示晶圆处理的主要工序的一例的流程图。

图7是表示晶圆处理的主要工序的一例的说明图。

图8是表示在处理晶圆形成周缘改性层的情形的说明图。

图9是表示在处理晶圆形成周缘改性层的情形的说明图。

图10是表示在处理晶圆形成内部面改性层的情形的说明图。

图11是表示在处理晶圆形成内部面改性层的情形的说明图。

图12是表示处理晶圆的周缘去除的情形的说明图。

图13是表示在处理晶圆形成中心改性层的情形的说明图。

图14是表示将处理晶圆分离的情形的说明图。

图15是表示将处理晶圆分离的其它方法的说明图。

图16是所形成的内部面改性层的说明图。

图17是表示第一偏心校正方法的说明图。

图18是表示第二偏心校正方法的说明图。