[发明专利]玻璃基板

说明书

本发明提供一种带电性低的玻璃基板。上述玻璃基板的特征在于：在玻璃组成中，以质量％计，B₂O₃的含量为1.7％以上且小于9％，Li₂O的含量为0.01％以下，Na₂O的含量为0.001～0.03％，K₂O的含量为0.0001～0.007％，Na₂O+K₂O的合计含量为0.0011～0.035％，SnO₂的含量大于0且为0.4％以下。

技术领域

本发明涉及玻璃基板，特别是涉及适用于包括有机EL显示器的显示器全部基板的玻璃基板。

背景技术

有机EL显示器等电子设备较薄且动画显示优异，耗电也少，因此被用于电视、智能手机等显示器等用途。

作为有机EL显示器的基板，广泛使用玻璃基板。该用途的玻璃基板主要要求以下的特性。

(1)为了防止在热处理工序中碱离子在成膜后的半导体物质中扩散的情况，碱金属氧化物的含量较少，

(2)为了使玻璃基板廉价，要求生产效率优异，特别是耐失透性和熔融性优异，

(3)在p－Si/a－Si·TFT的制造工序中，热收缩导致的玻璃基板的变形较少，

(4)在p－Si/a－Si·TFT的制造工序中，玻璃基板的带电性低，

(5)具有适合p－Si/a－Si·TFT的制造工序的平滑的表面。

发明内容

发明所要解决的技术问题

对于上述(4)、(5)进行详细阐述，由于玻璃基板为绝缘体，在p－Si/a－Si·TFT的制造工序中曝光台等与玻璃基板发生接触，导致玻璃基板带电。该带电是造成用于TFT像素的各成膜的间距发生偏差的较大因素之一。

如(5)所述，为了形成良好的TFT，希望表面平滑，作为显示器基板使用的玻璃基板即使是采用需要研磨的浮法工艺的玻璃基板，也需要相当平滑的接近自由表面的表面品质。然而，玻璃基板的表面越是平滑，玻璃基板越容易带电。也就是说，(4)的课题是与(5)的课题顾此失彼的关系。

在现有技术中，为了抑制带电，将曝光台或玻璃基板的背面粗糙化，但即使将曝光台粗糙化，随着重复使用，被粗糙化的面被平滑化。另外，为了将玻璃基板的背面粗糙化，需要实施药液蚀刻或气体蚀刻，会发生在成膜面混入蚀刻残渣等的问题。另外，还需要在制造工艺中追加上述工艺，当然会导致成本上升。

而且，随着近年来的显示器的薄板化，因带电导致的成品率降低成为显著的问题。其原因在于，在将玻璃基板薄板化时，与曝光台等的亲和变好，其结果会增加玻璃基板与曝光台等的接触面积，变得容易带电。

鉴于以上情况，本发明的目的在于提供带电性低的玻璃基板。

用于解决技术问题的技术方案

本发明人重复进行了各种实验，结果发现，通过严格控制玻璃基板所含的微量碱氧化物的含量，能够解决上述技术问题，从而提出本发明。即，本发明的玻璃基板的特征在于：在玻璃组成中，以质量％计，B₂O₃的含量为1.7％以上且小于9％，Li₂O的含量为0.01％以下，Na₂O的含量为0.001～0.03％，K₂O的含量为0.0001～0.007％，Na₂O+K₂O的合计含量为0.0011～0.035％，SnO₂的含量大于0且为0.4％以下。其中，“Na₂O+K₂O”是指Na₂O和K₂O的合计量。