[发明专利]用于易失性存储器系统的持续健康监测

说明书

本发明描述用于易失性存储器装置的持续健康监测的方法、系统及装置。一种存储器装置可确定与所述装置上的存储器单元阵列相关联的操作条件，例如温度、电流、电压或健康状态的其它度量超出与装置降级风险相关联的范围。所述存储器装置可监测所述操作条件超出所述范围的持续时间，且可确定所述持续时间是否满足阈值。在一些情况下，所述存储器装置可存储当(例如，每当)所述持续时间满足所述阈值时的指示。所述存储器装置可将所述一或多个指示存储于例如熔丝的一或多个非易失性存储元件中，这可使所述存储器装置能够维持所述存储器装置在其内以超出所述范围的操作条件操作的累计持续时间的持续指示。

交叉参考

本专利申请案主张由哈里斯(Harris)等人在2019年6月6日申请的标题为“用于易失性存储器系统的持续健康监测(PERSISTENT HEALTH MONITORING FOR VOLATILE MEMORYSYSTEMS)”的第16/433,820号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案被转让给其受让人且以引用方式明确并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及包含至少一个存储器装置的系统，且更明确来说，涉及用于易失性存储器装置的持续健康监测。

存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息，所述电子装置例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。信息通过编程存储器装置的不同状态被存储。举例来说，二进制装置很多时候存储通常由逻辑1或逻辑0标示的两种状态中的一者。在其它装置中，可存储多于两种状态。为了存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器可甚至在不存在外部电源的情况下存储其所存储逻辑状态达延长时段。例如DRAM的易失性存储器装置可能在与外部电源断开时丢失其所存储状态。

在一些情况下，存储器装置可用于针对高度可靠性配置或指定高度可靠性的系统内。此类系统可包含例如汽车或其它安全相关系统。然而，存储器装置的健康可随着时间降级，这可导致存储器错误。

附图说明

图1说明根据本文中所公开的实例的支持用于易失性存储器装置的持续健康监测的系统的实例。

图2说明根据本文中所公开的实例的支持用于易失性存储器装置的持续健康监测的存储器裸片的实例。

图3说明根据本文中所公开的实例的支持用于易失性存储器装置的持续健康监测的系统300的实例。

图4展示根据本公开的方面的支持用于易失性存储器装置的持续健康监测的存储器阵列的框图。

图5展示说明根据本文中所公开的实例的支持用于易失性存储器装置的持续健康监测的一或若干方法的流程图。

具体实施方式

在一些情况下，存储器装置可用于针对高度可靠性配置或指定高度可靠性的系统内。此类系统可包含例如其中安全性是一个应予以极大关注的问题的汽车或其它系统。存储器装置可由于各种因素随着时间降级。此降级可在存储器装置中引起错误，这对这些系统来说是特别成问题的。因此，在一些情况下，可能需要监测存储器装置的健康以在存储器装置的降级达到显著或危险程度之前识别或预测所述降级。