[发明专利]薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板和半导体装置有效
| 申请号: | 202080047203.X | 申请日: | 2020-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN114127180B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
| 发明(设计)人: | 冈庭正志;东口鉱平;关户隆人;高野健太郎;木田刚 | 申请(专利权)人: | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号: | C08L35/00 | 分类号: | C08L35/00;C08L79/08;C08L61/34;C08J5/18;H01L23/14 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 层叠 半导体 搭载 用基板 装置 | ||
1.一种薄膜,其包含:
含有选自由马来酰亚胺化合物和柠康酰亚胺化合物组成的组中的至少1种的化合物(A);
含有选自由下述式(1)和下述式(2)所示的有机过氧化物组成的组中的至少1种的有机过氧化物(B);和,
下述式(5)所示的咪唑化合物(C),
式(1)中,R1各自独立地表示氢原子、甲基、或乙基,
式(2)中,R2各自独立地表示氢原子、甲基、或乙基,X1表示下述式(3)或(4)所示的基团,
式(3)中,R3表示氢原子、甲基、或乙基,R4表示碳数1以上且3以下的亚烷基,R5表示氢原子或碳数1以上且6以下的烷基,
式(4)中,R6各自独立地表示氢原子、甲基、或乙基,X2表示下述通式(a)~(c)所示的基团,
式(c)中,n1表示1以上且5以下的整数,
式(5)中,R7表示甲基或乙基,R8表示氢原子、碳数1以上且5以下的烷基、芳基、或芳烷基,R9表示氢原子、碳数1以上且5以下的烷基、芳基、或芳烷基,
所述薄膜还含有助焊剂成分(F)。
2.根据权利要求1所述的薄膜,其中,所述化合物(A)含有:选自由2,2’-双{4-(4-马来酰亚胺苯氧基)苯基}丙烷、1,2-双(马来酰亚胺)乙烷、1,4-双(马来酰亚胺)丁烷、1,6-双(马来酰亚胺)己烷、N,N’-1,3-亚苯基二马来酰亚胺、N,N’-1,4-亚苯基二马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺、下述式(6)所示的马来酰亚胺化合物、下述式(7)所示的马来酰亚胺化合物、下述式(8)所示的马来酰亚胺化合物、下述式(9)所示的马来酰亚胺化合物、和含有下述式(10)所示的结构单元和位于两末端的马来酰亚胺基的双马来酰亚胺化合物组成的组中的至少1种,
式(6)中,R10各自独立地表示氢原子或甲基,n2表示1以上的整数,
式(7)中,n3表示1以上且30以下的整数,
式(8)中,R11各自独立地表示氢原子、甲基、或乙基,R12各自独立地表示氢原子或甲基,
式(9)中,R13各自独立地表示氢原子、碳数1~5的烷基、或苯基,n4表示1以上且10以下的整数,
式(10)中,R14表示碳数1以上且16以下的直链状或支链状的亚烷基、或碳数2以上且16以下的直链状或支链状的亚烯基,R15表示碳数1以上且16以下的直链状或支链状的亚烷基、或碳数2以上且16以下的直链状或支链状的亚烯基,R16各自独立地表示氢原子、碳数1以上且16以下的直链状或支链状的烷基、或碳数2以上且16以下的直链状或支链状的烯基,n5表示1以上且10以下的整数。
3.根据权利要求2所述的薄膜,其中,所述化合物(A)含有:选自由2,2’-双{4-(4-马来酰亚胺苯氧基)苯基}丙烷、所述式(6)所示的马来酰亚胺化合物、所述式(7)所示的马来酰亚胺化合物、所述式(8)所示的马来酰亚胺化合物、所述式(9)所示的马来酰亚胺化合物、和含有所述式(10)所示的结构单元和位于两末端的马来酰亚胺基的双马来酰亚胺化合物组成的组中的至少1种。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的薄膜,其中,所述有机过氧化物(B)含有选自由过氧化二异丙苯、正丁基-4,4-二-(叔丁基过氧化)戊酸酯、二(2-叔丁基过氧化异丙基)苯、2,5-二甲基-2,5-双(叔丁基过氧化)己炔-3、和2,5-二甲基-2,5-双(叔丁基过氧化)己烷组成的组中的至少一种。
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