[发明专利]利用卤化物化学品的光致抗蚀剂显影

权利要求书

1.一种用于处理半导体衬底的方法，其包括：

在处理室中，在半导体衬底的衬底层上提供经光图案化的含金属抗蚀剂；以及

通过暴露于包括卤化物的显影化学品而选择性地移除所述经光图案化的含金属抗蚀剂的一部分，以将所述经光图案化的含金属抗蚀剂进行显影，从而形成抗蚀剂掩模。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述经光图案化的含金属抗蚀剂是经光图案化的含金属EUV抗蚀剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述经光图案化的含金属EUV抗蚀剂进行显影包括：利用所述显影化学品将所述经光图案化的含金属EUV抗蚀剂的未EUV暴露部分相对于经EUV暴露部分选择性地移除，以形成所述光致抗蚀剂掩模。

4.根据权利要求3所述的方法，其还包括：

在不移除所述衬底层的情况下，将所述经光图案化的含金属抗蚀剂的所述未EUV暴露部分与所述经EUV暴露部分非选择性地移除。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述显影化学品包括卤化氢、氢气与卤素气体、有机卤化物、酰基卤化物、羰基卤化物、亚硫酰基卤化物、或其混合物。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述显影化学品包括氟化氢(HF)、氯化氢(HCl)、溴化氢(HBr)、或碘化氢(HI)。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述显影化学品包括氢气(H₂)与氟气(F₂)、氯气(Cl₂)、溴气(Br₂)、或碘气(I₂)。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述卤化物与载体气体一起流入所述处理室中，所述载体气体包括氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氙(Xe)、或氮(N₂)。

9.根据权利要求1所述的方法，其中通过暴露于所述显影化学品以将所述经光图案化的含金属抗蚀剂进行显影包括：通过暴露于干式显影化学品以将所述经光图案化的含金属抗蚀剂进行干式显影。

10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述经光图案化的含金属抗蚀剂进行干式显影包括：将包括所述卤化物的自由基的远程等离子体施加至所述经光图案化的含金属抗蚀剂。

11.根据权利要求9所述的方法，其中将所述经光图案化的含金属抗蚀剂进行干式显影包括：在无等离子体的热处理中至少暴露于所述卤化物。

12.根据权利要求9所述的方法，其中将所述经光图案化的含金属抗蚀剂进行干式显影在介于约-60℃与约120℃之间的温度下、介于约0.1mTorr与约760Torr之间的室压强下、介于约100sccm与约2000sccm之间的所述卤化物的气体流率下进行，所述抗蚀剂掩模的蚀刻选择性至少能部分地基于所述温度、所述室压强、所述气体流率、或其组合而进行调整。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述温度介于约-20℃与约20℃之间。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述抗蚀剂掩模的轮廓至少能部分地基于所述温度、所述室压强、所述气体流率、或其组合而进行控制。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中所述经光图案化的含金属抗蚀剂是含有机金属氧化物薄膜或者含有机金属薄膜。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述经光图案化的含金属抗蚀剂包括有机锡氧化物。